企业产品介绍
卧式SiC化学气相沉积炉
采用MTS为先驱体原料，通过鼓泡或蒸发方式带入混合罐中，Ar和H2作为混合气体，在石墨或者SiC基底表面进行CVD涂层。可提供装备+工艺+服务的全套解决方案，涂层后的产品厚度达到100±10μm；纯度≤1ppm；硅碳比1:1，涂层各项指标均满足半导体需求。
*沉积室尺寸：1700mm(L) ×1250mm(W)×1150mm(H）、
1550mm(L) ×1150mm(W)×1000mm(H）
*沉积温度：900℃~1600℃；
*温度均匀性：±5℃
*压升率：0.67Pa/h
立式SiC化学气相沉积炉
采用MTS为先驱体原料，通过鼓泡或蒸发方式带入混合罐中，Ar和H2作为混合气体，在石墨或者SiC基底表面进行CVD涂层。可提供装备+工艺+服务的全套解决方案，涂层后的产品厚度达到100±10μm；纯度≤1ppm；硅碳比1:1，涂层各项指标均满足半导体需求。
*沉积室尺寸：φ1500×1900 mm/φ1150×1800mm
*沉积温度：900℃~1600℃；
*温度均匀性：±5℃ ;
*压升率：0.67Pa/h
TaC气相沉积炉
采用TaCl5和CH4混合气体为先驱体原料，Ar和H2作为混合气体，在石墨基底表面进行CVD涂层。可提供装备+工艺+服务的全套解决方案，涂层后的产品厚度达到40±5μm；纯度：≤5ppm；钽碳比：1:1，涂层各项指标均满足半导体、航空航天热防护、医疗器械等行业需求。
*沉积室尺寸：φ430×900 mm/φ750×900 mm/ 1500(L)×900(W)×900(H)mm
*沉积温度：1100℃~2400℃；
*温度均匀性：±5℃
热解石墨气相沉积炉
采用CH4为先驱体原料，Ar和H2作为混合气体，在石墨基底表面进行CVD涂层。可提供装备+工艺+服务的全套解决方案，涂层后的产品厚度达到60±5μm；纯度：≤1ppm；热导率：376W/m·K（a）2.0W/m·K（c），涂层各项指标均满足半导体、火箭喉衬、OLED行业蒸镀器皿等需求。
*沉积室尺寸：φ1150×1000mm/φ1300×1650mm；
*沉积温度：1800℃~2300℃；
*温度均匀性：±5℃
立式高温纯化炉
主要用于石墨、保温毡、石墨粉体等碳基材料的纯化及元素定向去除。采用电阻式加热，通过红外测温仪、温度控制模块实现2400度高温加热，配合纯化工艺可实现炭基材料的高纯度处理，设备纯化效果好，自动化程度高、性能可靠稳定。
*纯化室有效尺寸：φ1300×1600mm；
*最高温度：2500℃；
*纯化后杂质总含量：总杂质<5ppm(石墨、石墨粉)，其中单元素 B≤0.01ppm、Al≤0.01ppm；
总杂质≤20ppm(石墨毡、碳碳复合材料)。
渗硅炉
*有效空间尺寸：φ2200×2200mm
*工作温度：1400~1900℃
*最大承载重量：7000kg(装料重量）
*压升率：≤5Pa/h
企业介绍
山西中电科电子装备有限公司隶属于中国电子科技集团有限公司旗下中电科电子装备集团有限公司。公司致力于碳基材料纯化装备、SiC/TaC/PG化学气相沉积装备、SiC产业相关配套装备研发制造及产业化验证，建立关键核心装备研发中心和生产基地及相关制造工艺技术产业化验证平台，研制装备主要应用于半导体、锂电、航空航天、消费电子领域，尤其解决第三代半导体装备国产化替代。
推荐活动：2025年8月26-28日，第七届精密陶瓷暨功率半导体产业链展览会将于深圳举办！
2025年8月26日-28日
龙小姐：18318676293（同微信）
邮箱：ab036@aibang.com
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温小姐：18126443075（同微信）
邮箱：ab057@aibang.com
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