半导体产业资源汇总
半导体产业资源汇总
氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。
近日，杭州光机所孵育企业杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：…
上海微系统所异质集成XOI团队和南京电子器件研究所超宽禁带半…