干法刻蚀(Dry Etching)是使用气体刻蚀介质。常用的干法刻蚀方法包括物理刻蚀(如离子束刻蚀)和化学气相刻蚀(如等离子体刻蚀)等。
与干法蚀刻相比,湿法刻蚀使用液体刻蚀介质,通常是一种具有化学反应性的溶液或酸碱混合液。这些溶液可以与待刻蚀材料发生化学反应,从而实现刻蚀。硅湿法刻蚀是一种相对简单且成本较低的方法,通常在室温下使用液体刻蚀介质进行。

然而,与干法刻蚀相比,它的刻蚀速度较慢,并且还需要处理废液。每个目标物质都需要选择不同的化学溶液进行刻蚀,因为它们具有不同的固有性质。例如,在刻蚀SiO2时,主要使用HF;而在刻蚀Si时,主要使用HNO3。因此,在该过程中选择适合的化学溶液至关重要,以确保目标物质能够充分反应并被成功去除。

“各向同性”和“各向异性”
在介绍湿法蚀刻和干法蚀刻的区别时,必不可少的词是“各向同性”和“各向异性”。各向同性是指物质和空间的物理性质不随方向变化,各向异性是指物质和空间的物理性质随方向不同而不同。各向同性蚀刻是指在某一点周围蚀刻进行相同量的情况,各向异性蚀刻是指蚀刻在某一点周围根据方向不同进行的情况。例如,在半导体制造过程中的刻蚀中,往往选择各向异性刻蚀,以便只刮削目标方向,而留下其他方向。
来源:网络
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会议议题
| 序号 | 议题 | 单位 | 
| 1 | 电动汽车主驱功率模块的开发与应用 | 智新半导体 主任工程师 王民 | 
| 2 | 基于先进IGBT的可靠性及FA研究 | 上海陆芯电子 | 
| 3 | 基本半导体B2M第二代碳化硅MOSFET在新能源市场的应用 | 基本半导体 业务总监 杨同礼 | 
| 4 | 功率模块封装工艺 | 硅酷科技 高级总监 郑宁 | 
| 5 | IGBT可靠性评估及失效分析 | 南粤精工 总经理 李嵘峰 | 
| 6 | 大功率功率模块散热基板技术 | 鑫典金 副总 李灿 | 
| 7 | PressFit技术在IGBT模块中的应用 | 徕木电子 技术总监 王昆 | 
| 8 | SiC芯片技术进展及趋势 | 拟邀请SiC芯片技术专家 | 
| 9 | 碳化硅生长技术浅析与展望 | 拟邀请碳化硅材料供应商 | 
| 10 | 大尺寸碳化硅晶片精密研磨抛光技术 | 拟邀请碳化硅研磨抛光企业 | 
| 11 | 全新一代IGBT设计技术 | 拟邀请IGBT企业 | 
| 12 | IGBT技术发展情况及市场现状 | 拟邀请IGBT企业 | 
| 13 | 功率半导体模块动静态特性与可靠性测试解决方案 | 拟邀请测试企业 | 
| 14 | IGBT/DBC 清洗技术 | 拟邀请清洗材料/设备企业 | 
| 15 | 高温高功率IGBT模块封装的技术挑战 | 拟邀请IGBT企业 | 
| 16 | 功率模块模块的自动化生产装备 | 拟邀请自动化企业 | 
| 17 | 超声波焊接技术在功率模块封装的应用优势 | 拟邀请超声波焊接企业 | 
| 18 | 大功率半导体器件先进封装技术及其应用 | 拟邀请封装企业 | 
| 19 | 功率半导体器件银烧结工艺技术 | 拟邀请银烧结技术企业 | 
| 20 | 高可靠功率半导体封装陶瓷衬板技术 | 拟邀请陶瓷衬板企业 | 
| 21 | IGBT模块封装材料解决方案 | 拟邀请封装材料企业 
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原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):干法刻蚀与湿法刻蚀的区别

