金刚石凭借已知材料中的最高热导率，成为GaN、Si等晶圆键合散热衬底的理想选择，可显著降低热阻并突破传统散热瓶颈。表面粗糙度是键合良率的关键，其中Ra＜1nm为核心技术指标。化合积电通过技术攻关，提供定制化金刚石解决方案：单晶金刚石表面粗糙度达Ra≤0.5nm，1-2英寸多晶金刚石实现Ra＜1nm，为晶圆键合提供高可靠材料支撑与技术保障。
单晶金刚石 化合积电采用激光修整-机械加工-化学机械抛光（CMP）三位一体工艺，实现单晶金刚石的高效、低损伤、高精度加工，已稳定批量实现单晶金刚石表面粗糙度Ra＜1nm，定制化实现表面粗糙度Ra≤0.5nm；同步将总厚度偏差（TTV）精准把控在 10μm 以内，并严控晶圆翘曲度指标，匹配先进晶圆键合的严苛界面标准。 单晶金刚石 （10*10*0.5mm） CMP加工-白光干涉仪检测 表面粗糙度：Ra 0.197 nm 单晶金刚石 （16*16*1mm） CMP加工-白光干涉仪检测 表面粗糙度：Ra 0.271nm 单晶金刚石（16*16*1mm） 翘曲-正面：2.06μm 单晶金刚石（16*16*1mm） 翘曲-背面：1.59μm 单晶金刚石（10*10*0.5mm）TTV：5μm 单晶金刚石（16*16*1mm）TTV：6μm
多晶金刚石 采用独创抛光工艺，化合积电1-2英寸多晶金刚石稳定实现表面粗糙度Ra＜1nm，最低可至0.5nm 以下；3-4 英寸多晶金刚石稳定实现Ra＜2nm，且2英寸多晶金刚石翘曲最优可控制在10μm 以内，匹配大尺寸晶圆键合的金刚石需求，为半导体应用场景提供坚实可靠的材料支撑。 多晶金刚石（2 inch）AFM检测 表面粗糙度：Ra 0.440 nm 多晶金刚石（2inch）白光干涉仪检测 表面粗糙度：Ra 0.239 nm 多晶金刚石（2inch） 翘曲Wrap：3.06 μm 以材料突破为核心，化合积电聚焦第四代半导体金刚石材料研发，持续攻克高质量、大尺寸金刚石制备与加工技术。未来，化合积电将始终以客户需求为导向，通过工艺迭代与产品创新，为半导体产业技术突破提供更具针对性的材料支撑，加速实现关键领域技术跃升！
一颗芯片的制造工艺非常复杂，需经过几千道工序，加工的每个阶段都面临难点。欢迎加入艾邦半导体产业微信群：
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