SiC - 第 24 页 - 艾邦半导体网

周日. 6 月 15th, 2025

新洁能150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品介绍

2024-06-26 liu, siyang

150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏…

英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

2024-06-26 liu, siyang

随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（…

Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器

2024-06-26 liu, siyang

在功率转换中，效率和功率密度至关重要。每一个造成能量损失的因…

Wolfspeed 宣布碳化硅 8 寸工厂关键性进展！

2024-06-26 liu, siyang

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芯达茂提高SiC Trench MOSFET可靠性的一种制备方法

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SiC 功率半导体

瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产

2024-06-23 808, ab

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2024-06-21 liu, siyang

6月21日，瞻芯电子开发的2款极紧凑封装的栅极驱动芯片IVC…

一文了解SiC外延层常见缺陷及形成原因

2024-06-21 liu, siyang

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晶彩科技半导体关键材料产业化项目签约绍兴柯桥

2024-06-21 gan, lanjie

近日，“群贤聚力共赢未来”2024柯桥发展大会暨重大招商项…

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