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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
❖ 赛米控和丹佛斯硅动力事业部联手成立新公司:赛米控—丹佛斯…
01 IGBT模块的选定 在使用IGBT模块的场合,选择何种…
陶瓷基板材料凭借其极好的耐高温、耐腐蚀、热导率高、机械强度高…
-- 2022 · 南京-- 华太电子 荣获 “2021-2…
氮化铝基板电路板是以氮化铝为基板,外部贴有多种不同电路元件的…
IGBT 作为一种功率半导体器件,是国际上公认的电力电子技术…
这些年来,随着功率半导体的快速发展,在第三代半导体碳化硅芯片…
摘要 40多年来,设计和制造传统混合电路的首选基板一直是氧化…
IGBT是 "Insulated Gate Bipolar …
晶体管主要分为三类:双极晶体管、MOSFET和IGBT。下表…