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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
Tvj 一般来讲，结温Tvj是指芯片“结”区域的温度，是与模…
华润微电子有限公司在近期的分析师会议上表示，IGBT 单管市…
秉持着国内大循环、国内国际双循环新发展格局以及包容开放的心态…
随着了工业制造水平的提高，IPM的生产技术得到了极大的发展，…
近日，深圳后浪实验室利用自主研发的直接溅射陶瓷基板（Dire…
2023 贝茵凯微电子【读“芯”术】——“IGBT的拆解刨析…
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绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipol…
后摩尔时代，晶体管大小正不断逼近原子的物理体积极限，5G、自…
