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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
IGBT的现状与趋势
IGBT 是电力电子变换中的核心元器件，以低电压控制大功率电…
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8月1日 津上智造智能科技江苏有限公司 （简称“津上智造”）…
2023年8月7日，华虹半导体有限公司（股票简称：华虹公司，…
8月7日，芯动半导体首批 750V/820A IGBT功率模…
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