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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
【产品速报】2023年7月，森国科隆重推出IGBT分立器件新…
电动汽车多合一动力总成对功率模块提出了更高的要求，翠展微电子…
大半导体产业网消息，华虹半导体7月23日发布晚间公告称，公司…
摘要：对功率半导体模块封装材料国产化及进行了展望，分享了部分…
作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT应用非常广泛，如家…
绝缘栅双极性晶体管（IGBT）面市已有些时日，事实上，通用电…
近日，省发展改革委印发《2023 年浙江省扩大有效投资“千项…
封装材料的性能是决定模块性能的基础，因此封装材料的选择对整个…
碳化硅（SiC）器件生产工艺和技术已经日趋成熟，目前市场推广…
2023 慕尼黑上海电子展 北一半导体展位 日期：2023.…
