据业内人士30日透露，此次技术革新的关键在于直接针对“TGV铜填充质量”，这被认为是玻璃基板商业化进程中的一个里程碑，尤其是在抑制空隙和接缝以及提高电阻均匀性方面。此前的技术通过在不去除粘合层的情况下粘附和引入籽晶层来革新电镀制备工艺，而这种混合工艺被认为是一种“完整”的解决方案，它解决了填充工艺本身的瓶颈问题。

玻璃基板因其高平整度、低收缩率和低热膨胀系数（类似硅）等特性，已成为下一代封装材料的候选者，这些特性有利于超细布线和大面积应用。然而，其商业化的关键节点最终在于玻璃基板封装（TGV）中铜填充的质量问题，这促使各公司加大研发投入，将关键的金属化工艺纳入其中。

TGV结构中铜填充的质量被认为是决定初期批量生产成败的关键因素。近期学术界和工业界的文献表明，优化“保形电镀”中的“填充电镀”条件以及将AOI和X射线技术在线集成是关键解决方案。在韩国，该工艺不断取得进展，已有报道称在厚度为1.1毫米的玻璃上制造出了无裂纹的TGV。

Ninetech一位负责人表示：“继公司在高纵横比玻璃基板上电镀微孔方面取得突破性成就之后，Ninetech已凭借膏体+导线混合技术，为正面突破填充瓶颈奠定了基础。” 他补充道：“公司将通过数据验证空隙率、电阻和可靠性指标，以提高客户生产线的初始量产良率。”

凭借这项专利，Ninetech 在 TGV 填充领域获得了技术和知识产权优势，而 TGV 填充正是玻璃基板金属化工艺的关键瓶颈。在玻璃基板市场，预计苹果和英特尔等全球领先企业都将采用这项技术，Ninetech 的混合填充技术有望成为提升下一代高密度封装（例如 HDI 和中介层）竞争力的催化剂。

来源：Newspim，https://news.nate.com/view/20251030n09281，侵删

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