拓荆科技拟25亿收购无锡尚积，补齐PVD与刻蚀设备短板

10月15日晚间，拓荆科技发布《发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金报告书（草案）》（以下简称“草案”），拟通过发行股份及支付现金方式，以合计25亿元的交易对价，收购无锡尚积半导体科技股份有限公司（以下简称“无锡尚积”）100%股权，并募集配套资金不超过18.2亿元。

1. 重组方案

上市公司拟通过发行股份及支付现金方式购买无锡尚积82.97%股份、上海泰纳微100%股权和无锡宽行 100%股权，并向不超过 35 名特定投资者发行股份募集配套资金。本次交易后，上市公司将直接及间接持有无锡尚积 100%股份。

2. 募集配套资金

拓荆科技拟向不超过35名特定投资者发行股份募集配套资金不超过18.2亿元，用于无锡尚积高端半导体设备生产基地项目（5.01亿元）、高端半导体设备前沿技术研发项目（6.09亿元）、支付现金对价及中介费用（7.11亿元）。

高端半导体设备前沿技术研发项目

该项目聚焦先进存储、先进逻辑和先进封装方向开展底层工艺技术攻关。针对先进存储、先进逻辑场景，重点攻克纳米级形貌精准控制、低损伤刻蚀、高深宽比结构台阶覆盖等核心工艺难题，形成适配先进制程的成套薄膜、刻蚀工艺技术方案，有效适配先进芯片制造的高端工艺需求。同时面向Chiplet、2.5D/3D堆叠等先进封装技术路线，针对性开展 TSV、TGV、高精度 RDL、微凸块配套工艺技术研发，突破超薄晶圆应力抑制、高深宽比薄膜均匀覆盖等关键技术瓶颈，补齐高端先进封装领域的工艺与装备短板，精准匹配下游产业发展趋势，充分把握行业迭代带来的市场机遇。

无锡尚积在TGV方面的技术研发

无锡尚积基于 PVD工艺开发的 TSV/TGV薄膜沉积技术，可将钛、钽、铜等金属均匀沉积至高纵横比通孔侧壁和底部，形成稳定电气连接，避免空隙、孔洞或剥离缺陷。

据悉，无锡尚积业务聚焦于薄膜沉积与刻蚀设备，其自主研发的 PVD 薄膜沉积设备已实现深宽比15:1 以上TSV/TGV的铜金属种子层沉积，具备优异的阶梯覆盖能力，应用于晶圆制造金属互联工艺和存储先进封装金属化工艺的 PVD 设备已发货客户端；成膜质量方面，单片晶圆内部及不同晶圆间的膜厚均匀性表现优异，同时可在较宽范围内精准调控膜层应力，有效抑制晶圆翘曲、保障三维结构稳定性。依托长期沉淀的高深宽比沉积、低温低损伤工艺、应力精准控制等核心技术，无锡尚积技术平台可横向延伸至先进制程铜互连、存储三维堆叠、先进封装 RDL 重布线等用途，在保持特色工艺领域国内领先地位的同时，持续向逻辑芯片、存储芯片等广阔的应用领域拓展。

3. 本次交易目的

拓荆科技与无锡尚积同属于半导体设备企业，产品线高度互补，具有极佳的协同发展前景。通过本次交易，拓荆科技将快速获得成熟可靠的PVD 工艺与技术，补齐薄膜沉积设备领域核心产品矩阵，完善对主流薄膜沉积工艺的覆盖。

在薄膜沉积领域，拓荆科技深耕薄膜沉积设备行业多年，已形成 PECVD、ALD 和Gap-Fill CVD等多个核心品类的成熟产品线，具备良好的市场口碑与市场头部地位；无锡尚积及核心团队则长期聚焦 PVD 设备研发创新，是国内 PVD 设备领域知名企业，拥有成熟量产机型与核心工艺技术。

此外，无锡尚积的 PVD 设备和刻蚀设备亦可应用于三维集成领域的RDL、TSV、TGV 等核心工艺环节，并持续面向先进存储、先进逻辑和先进封装的下一代产品工艺需求进行拓展。本次交易完成后，上市公司将形成覆盖薄膜沉积、刻蚀、键合、量检测的成套三维集成设备产品线，满足客户一站式采购与联合工艺开发需求，强化整体方案竞争力，提升客户粘性与单客户价值量。

先进封装设备类似前道晶圆制造设备，供应商受益先进封测产业增长。随着先进封装的发展，Bumping(凸块)、Flip(倒装) 、TSV 和 RDL(重布线)等新的连接形式所需要用到的设备也越先进。以长球凸点为例，主要的工艺流程为预清洗、UBM、淀积、光刻、焊料 电镀、去胶、刻蚀、清洗、检测等，因此所需要的设备包括清洗机、PVD 设备、光刻机、 刻蚀机、电镀设备、清洗机等，材料需要包括光刻胶、显影剂、刻蚀液、清洗液等。为促进行业发展，互通有无，欢迎芯片设计、晶圆制造、装备、材料等产业链上下游加入艾邦半导体先进封装产业链交流群。

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