“打得火热”！8英寸SiC设备密集出货

近期，晶升股份、粤升半导体、纳设智能相继推出8英寸碳化硅外延设备，企图进一步抢占碳化硅产业升级先机：

聚焦它们的设备技术细节、交付情况，“行家说三代半”发现，国产8英寸碳化硅设备正“打得火热”，这意味着国产设备的技术进一步实现了自主可控，且8英寸碳化硅产能扩张也在悄悄加速……

8英寸SiC外延设备密集出货

性能已达国际先进水平

8月5日，据“晶升股份”官微报道，他们推出了SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉。晶升股份明确道，该设备均已达到国际同类产品的先进水平，这一成果将助力碳化硅产业高质量发展。

具体来看，该设备有以下四个优势：

1、性能优异：生长速率≥60μm/h，膜厚均匀性＜1%，掺杂均匀性＜2%；

2、工艺灵活：支持N/P两种掺杂类型，满足不同产品需求；

3、稳定可靠：采用成熟的生长工艺，边部参数可控，工艺可调性强；

4、创新突破：新增掺杂气体工艺，提升生产稳定性。

7月，粤升半导体官宣，他们的8英寸碳化硅外延设备完成研发并顺利交付标杆客户。粤升半导体介绍，该设备所生长的8英寸SiC外延片在多项关键指标上表现亮眼，典型数据如下：

1、膜厚与掺杂浓度不均匀性：外延片膜层厚度不均匀性小于0.5%，掺杂浓度不均匀性小于1.2%；

2、表面粗糙度：多点AFM测试结果显示外延片表面粗糙度均小于0.160 nm；

3、表面缺陷：外延片表面缺陷数量少，3mm×3mm管芯良率达到99%以上。

近期，纳设智能官微消息，他们自主研发的全自动双腔8英寸碳化硅外延设备及多台8英寸单腔设备交付龙头客户。纳设智能表示，自该设备推出以来，便数次荣获大客户复购，印证了市场对其产品力的认可。

据介绍，本次交付的核心设备采用独立双腔体架构，独创的反应腔室设计让客户运营成本大大降低，同时创新性融合多区独立进气控制与智能温场系统，实现6英寸与8英寸晶圆的高兼容性生产。在工艺性能上，外延层厚度均匀性稳定在1%以内，掺杂均匀性达2%以内，缺陷密度≤0.1c㎡，达到行业先进水平。

综合来看，晶升股份、粤升半导体、纳设智能等企业密集推出或交付8英寸碳化硅外延设备，标志着国产装备性能已达国际先进水平，有望加速8英寸碳化硅的进一步规模化商用。

SiC厂商“疯狂投产”8英寸

国产8英寸SiC闭环成型

设备交付是产能扩张的前置条件。在与碳化硅设备企业密集交付设备的同时，众多碳化硅材料厂商也朝着8英寸集中发力。尤其是今年上半年，全球碳化硅行业展现出从6英寸向8英寸加速迭代的强劲势头。

“行家说三代半”发现，今年以来，包括天域半导体、天科合达、天岳先进、芯联集成、晶盛机电等国内厂商都在积极推进8英寸碳化硅的产业化进程：

结合8英寸碳化硅的优势来看，其衬底比6英寸增加了近90%的可用面积，且外延和晶圆制造成本增加不明显，工艺也更为先进，因此能够有效降低单个碳化硅器件的平均成本，具有巨大的发展潜力。

从产业链角度而言，这些趋势都在一一印证：8英寸方面，我国已具备从碳化硅设备到材料的国产化闭环能力。叠加新能源汽车、光伏及储能等市场的需求驱动，8英寸碳化硅将有望在未来几年迎来爆发。