深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司，在国产宽禁带半导体功率器件领域取得重大突破！成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题，构建了8英寸工艺平台，实现了自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片流片成功。其核心发明专利（专利公开号：CN118610269A）已经获得授权。这标志着我国在自主知识产权的第三代半导体关键器件研发与制造能力上迈上新台阶，将为新能源汽车、光伏储能、工业电源等广泛应用提供强劲而持久的“中国芯”动力！
8英寸高性能沟槽栅SiC MOSFET结构（专利）示意图及芯片剖面图
1、性能卓越，设计可靠：
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静态性能指标实现了业内领先的低比导通电阻（<2.1mΩ·cm²），优于国际主流高可靠厂商的技术水平（如 Bosch G2）；动态特性参数（包括输入电容 Ciss、栅极电荷 Qg、反向恢复电荷 Qrr等）对标国际顶尖工业技术标杆（如 Infineon G2）；整体性能达到国内领先，国际先进水平。
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零失效通过1000小时高温反向偏压（HTRB）、高温正/负栅偏压（HTGB+/-）及高压高温高湿反偏（HV-H3TRB）等可靠性考核。
2、鲁棒性充足，应用广泛：
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在实现高通流能力的同时，本芯片反向击穿电压大于1500V，阈值电压稳定在3.3V，在8英寸晶圆上实现了具有商业价值的良率展示，为满足重点用户的各类应用场景提供了坚实的技术基础和巨大的发展潜力。
3、工艺突破，平台自立：
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成功在8英寸晶圆上攻克包括MeV级高能离子注入、定晶向刻蚀、栅氧区域厚度分布调制、低缺陷高温退火、低电阻欧姆接触、高可靠性钝化等多项SiC沟槽工艺难题，达到量产级工艺控制力。
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成功建成国内领先、国际先进水平的全流程自主可控8英寸沟槽栅SiC MOSFET工艺平台，1200V 40mΩ等级沟槽栅SiC MOSFET晶圆CP良率90%以上，单片最高达到96%。关键工艺（包括沟槽形貌控制、界面态优化、掺杂均匀性等）的控制手段已经探明，为持续提升器件电学性能及量产良率奠定了坚实的理论与工艺技术基础。
4、仿真精准，设计高效：
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基于SiC器件物理建模和仿真方面的深厚技术实力，该工艺平台的仿真制造对齐工作已基本完成，从核心元胞结构到终端保护结构，全套动静态仿真与实测数据吻合度>95%。这为后续基于该平台快速设计优化奠定了坚实的基础。
此次8英寸1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的流片成功，以及相应的工艺平台的高质量产出、仿真结果与实测数据的高度吻合，是在第三代半导体核心技术攻关上的重大突破。这一成果彰显了我国在宽禁带半导体产业链关键环节的自主创新能力和产业化实力，将为我国新能源、高端制造等战略性新兴产业的腾飞注入强劲动能！
深圳平湖实验室和深圳市鹏进高科技有限公司所在的国家第三代半导体技术创新中心（深圳）是国际首个开放、共享的8吋SIC和GAN科研与中试平台，助力提速我国在第三代半导体研发与产业化的建设进程。