方正微HPD SiC MOS模块FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）是一款专为新能源车主驱逆变器设计的高性能SiC MOS功率模块，旨在提供高效、可靠的主驱电控解决方案。
该模块SiC MOS芯片采用自研平面工艺，性能、可靠性处于行业领先水平，封装采用芯片银烧结、DTS等先进工艺，确保产品在高压、高功率及各种恶劣工况、环境下都能稳定可靠运行。
模块简介：
FA120P002AA模块内部拓扑为三相全桥，同时集成了热敏电阻（NTC）以监测温度；该模块控制端子具有开尔文引脚，能在SiC MOSFET高速开关时抑制电压尖峰，保证高频开关应用的安全与可靠。
方正微HPD模块FA120P002AA图片和内部全桥拓扑图
主要参数：
模块特点：
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采用方正微电子自研自产车规级SiC MOS芯片；
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模块满足AQG-324可靠性标准；
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同时芯片加严质量要求，关键可靠性项目可轻松通过3000h认证，3倍于行业通用车规认证要求；
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采用高性能Si3N4陶瓷绝缘，高热导率，并通过直接液冷PinFin基板实现了高效散热，Rthjf=0.112°C/W；
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模块内芯片布局合理紧凑，降低了功率回路路径，有效减小了寄生电感~8nH，可降低电压尖峰、电压震荡、开关损耗、EMI噪声等；
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满足绝缘耐受电压测试：DC，4.3kV，t=1s；
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芯片击穿电压BV（Ids=1mA）>1450V，可轻松满足高电压平台应用；
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芯片采用银烧结和DTS工艺，提升了模块的可靠性和寿命。
应用测试：
针对新能源汽车主驱应用场景，FA120P002AA模块进行了电机台架的多工况测试，以模拟模块在电控系统中的性能表现，包括波形、芯片温度、堵转、循环工况、老化等。也采用了较严苛的条件运行，850V母线电压，开关频率12kHz，冷却液流量8L/min、50%水+50%乙二醇、冷却液温度70℃，芯片结温最高≈175℃。
方正微FA120P002AA模块电机台架运行芯片结温图
方正微FA120P002AA 电机台架波形图
综上，FMIC推出的HPD 1200V 2.1mΩ SICMOS模块具有出色的性能，可为新能源纯电汽车、混合电动汽车等主驱逆变器提供最优解。