北一半导体：针对细分领域，自主第七代微沟槽栅IGBT芯片量产

  基于国内最领先的12寸工艺平台及1.6微米Pitch工艺能力，公司1200V等级第七代IGBT芯片实现量产。

  第七代IGBT芯片采用“微沟槽栅+场截止”结构。设计方面，通过优化表面MOS元胞结构和场截止层结构，降低芯片导通压降Vce（sat）的同时，芯片具有更低的开关损耗，兼具较强的短路能力。工艺方面，通过反复拉偏保证足够的工艺窗口，芯片良率达到业界领先水平。

  可靠性方面，通过了三批次工业级可靠性考核。相比于上一代IGBT芯片产品，功率密度增加30%以上。其中1200V/75A芯片面积小于50mm2，达到国内领先水平。

   针对后继IGBT芯片产品，公司一方面紧跟国际头部企业，进一步提高芯片功率密度，一方面根据既有IGBT芯片平台及模块封装优势，结合应用、芯片、模块及可靠性要求进行协同设计，提高模块功率密度的同时满足细分领域需求，进一步提高产品竞争力。