2023 年 7 月 27 日，Akoustis Technologies, Inc. 宣布已开发出一种采用硅晶圆上外延 (EPI) 氮化铝钪 (AlScN) 的新型先进单晶 XBAW® 材料。这种新材料是在国防高级研究计划局 (DARPA) 的资助下开发的，旨在将 XBAW® 技术扩展到高达 18 GHz 的频率。 该公司计划在本季度开始对使用新型单晶材料的滤波器进行试样。
Akoustis 重新开发了其先进的单晶纳米材料，与现有的多晶技术相比，该材料可提供具有更高功率处理能力和改进谐波的 BAW 滤波器。更高的功率处理能力使客户能够设计出具有更高发射功率的产品，从而获得更大的覆盖范围和穿透障碍物。改进的谐波减少了不必要的带外杂散发射，这些发射可能会导致干扰或无法通过 FCC 和其他标准批准。新型单晶材料的开发很大程度上依赖于公司的许多基础专利和核心技术。
Akoustis 创始人兼首席执行官 Jeff Shealy 表示："这种新型单晶材料的生产是多年工程的结晶，是通过我们与 DARPA 的牢固合作关系实现的，DARPA 通过持续的支持认可了我们的技术。这种新材料比我们目前的多晶技术取得了显着的进步，在功率处理和改善谐波方面具有优势。 我们预计这种新材料将提高 5G 移动设备、5G 移动基础设施、Wi-Fi、汽车、国防和其他市场的 BAW 性能。"
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