4月21日,扬州扬杰电子科技股份有限公司发布公告称,已于 2023 年 4 月 18 日与扬州市邗江区人民政府签署了《6 英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》,扬杰科技拟在甲扬州市邗江区投资新建 6 英寸碳化硅晶圆生产线项目。

 

 

项目总投资约 10 亿元,新建厂房 27,000 平方米,其中高洁净车间(光刻区十级、操作区百级)的净化装修预计在 4,500 平方米,分两期实施建设,全部建成投产后,形成碳化硅 6 英寸晶圆产能 5000 片/月。

 

作为第三代半导体材料的核心,碳化硅与传统的硅半导体相比,具有宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,可以在更高温度、更高电压、更高频率和更高辐射环境下工作,并具有更高的耐用性和可靠性,在汽车、工业、IT 及消费电子等多个领域的应用中有替代硅基器件的潜力,未来前景广阔。近年来,在全球"碳达峰、碳中和"的大背景下,新能源汽车、光伏等市场景气度高企,对碳化硅产品的市场需求日益强烈,驱动碳化硅器件加速导入和发展,进一步打开了碳化硅的市场空间。

 

扬杰科技较早地布局了第三代半导体产业,已涉足碳化硅产品研发设计多年,形成了多项专利等知识产权,已成功开发并向市场推出 SiC 模块及 650V SiC SBD、1200V 系列 SiC SBD 全系列产品,SiC Mosfet 已取得关键性进展,后续拟进一步布局 6-8 英寸碳化硅芯片生产线建设。

作者 gan, lanjie