理解任何专题的第一步,通常是从它的名字开始。什么是Hybrid Bonding?Hybrid Bonding 是铜铜键合吗?Hybrid翻译过来就是混和的意思,那Hybrid Bonding是什么和是什么混合的呢?我们不妨卖个关子,大家在下文中来寻找答案。

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先进封装之混合键合(Hybrid Bonding)的前世今生

在Hybrid Bonding前,2D,2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点(solder bump)或微凸点(Micro bump)来实现芯片与基板,芯片与中介层(interposer), 芯片与芯片间的电连接。Solder bump/micro bump在制备工艺中都有植球的步骤,所植的球就是焊锡球(Solder bump),所以在Hybrid Bonding之前芯片间的连接都是靠焊锡球进行连接。

先进封装之混合键合(Hybrid Bonding)的前世今生
图1,Cu+Solder 统称为bump, 细分又可以分为Cu bump 和Solder Bump.
当然Solder bump是植在铜柱 (Copper bump)上的。如图2所示,当copper bump pitch 小于10~20um时,焊锡球 solder bump就变成了工艺难点及缺陷的主要来源。这时候就需要一种新的工艺来解决bump 间距小于10微米芯粒间键合的问题。当然Hybrid Bonding在电学性能方面也有独特的优势,如图3所示,Hybrid Bonding信号丢失率几乎可以忽略不计,这在高吞吐量,高性能计算领域优势明显。在业界强烈需求的呼唤下,Hybrid Bonding腾空出世。
先进封装之混合键合(Hybrid Bonding)的前世今生
图2,不同bump间距(pitch)所采用BUMP形式
先进封装之混合键合(Hybrid Bonding)的前世今生图3,频率与信号丢失对应曲线图
Hybrid Bonding中的Hybrid是指除了在室温下凹陷下去的铜bump完成键合,两个Chip面对面的其它非导电部分也要贴合。因此,Hybrid Bonding在芯粒与芯粒或者wafer与wafer之间是没有空隙的,不需要用环氧树脂进行填充。
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图4,图源十轮网 混合键合流程图:(a)试片未接合面貌(b)介电材料接合步骤(c)提高温度铜接点接合过程(d)高温时接点内部应力分布状态
Hybrid Bonding是近几年被叫响的,在之前业界通常称其为DBI(Direct Bond Interconnect,直接键合连接),它是在20世纪80年代中期由Paul Enquist,Q.Y. Tong和Gill Fountain在三角研究所(RTI)的实验室首次构思,DBI因其优雅和简洁而成为键合大海上的明灯。他们三个后来在2000年成立了一家叫Ziptronix的公司,并于2005年实现了10um bump间距用DBI技术连接的铝布线层,接着又在2011年发布2um bump间距用DBI技术完成wafer to wafer 连接。2015年Ziptronix被Xperi (前Tessera)收购。在2019年,DBI/Hybrid Bonding技术由Xperi (前Tessera)完成了最终的专利布局,其本身没有量产的产品推出。
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图5,2005年Ziptronix发布10um间距  用DBI技术连接的铝布线层
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图6,2011年Ziptronix发布2um间距用DBI技术完成的wafer to wafer 连接
业界第一个DBIDBI/Hybrid Bonding量产的产品是由Sony在图像传感器上进行应用。这项技术在堆叠的CMOS图像传感器的下部电路芯片和上部像素芯片中增加了Cu连接焊盘,以同时建立物理和电气连接。由于Cu-Cu直接键合是在wafer生产过程中进行的,索尼开发了原始的制造工艺来克服这些问题,并成为世界上第一个推出该技术的公司。
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图7,Sony首款采用Hybrid Bonding/DBI铜铜键合的传感器
接着台积电,英特尔、三星等大厂都开始采用该工艺用于进行3D封装,并陆续推出用于CPU、GPU及高性能计算中。到今天,Hybrid Bonding已经被叫的越来越响。
先进封装之混合键合(Hybrid Bonding)的前世今生
图8,AMD Hybrid Bonding产品
最后我们再谈谈相应的设备厂家,Hybrid Bonding代表着未来,代表着研发实力,设备巨头们都在积极跟进。当前主要有两个实力强劲的联盟:Besi与Applied Material的BA联盟以及香港的ASMPT与EV GROUP (EVG)的AE联盟,巨头们强强联合来争夺先进封装设备中的塔尖。另外,根据新闻报道近期异军突起的华封也在积极研发布局。如果您是我们的老朋友应该看到过我们艾邦半导体公众号对TCB(热压键合)设备的介绍,相信大家对TCB设备的复杂性已经有一定的了解。TCB设备升级改造后可以具备Hybrid Bonding的功能,但是后者的难点除了贴装精度要求更高外,对晶粒及晶圆本身共面性、表面粗糙度、洁净度等要求都极为苛刻。这也就是为什么一套Hybrid Bonding设备的研发需要巨头们强强联合的原因。所以对于想进发Hybrid Bonding的设备供应商来讲,TCB也只是个热身。有兴趣深入探讨,请进群细聊。 

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参考文献:

1.https://www.brewerscience.com/what-is-hybrid-bonding/

2.https://www.3dincites.com/2021/04/the-people-who-make-dbi-possible/

3.https://www.techinsights.com/blog/image-sensor/groundbreaking-senswir-image-sensors-sony-imx990-imx991

4.https://semiengineering.com/hybrid-bonding-moves-into-the-fast-lane/

5.https://www.3dincites.com/2018/04/hybrid-bonding-from-concept-to-commercialization/


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原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):先进封装之混合键合(Hybrid Bonding)的前世今生

先进封装设备类似前道晶圆制造设备,供应商受益先进封测产业增长。随着先进封装的发展,Bumping(凸块)、Flip(倒装) 、TSV 和 RDL(重布线)等新的连接形式所需要用到的设备也越先进。以长球凸点为例,主要的工艺流程为预清洗、UBM、淀积、光刻、焊料 电镀、去胶、刻蚀、清洗、检测等,因此所需要的设备包括清洗机、PVD 设备、光刻机、 刻蚀机、电镀设备、清洗机等,材料需要包括光刻胶、显影剂、刻蚀液、清洗液等。为促进行业发展,互通有无,欢迎芯片设计、晶圆制造、装备、材料等产业链上下游加入艾邦半导体先进封装产业链交流群。

作者 808, ab