U-MAP计划2024 年下半年量产氮化铝陶瓷基板

据报道，U-MAP将从2024年下半年开始量产使用具有高散热性的氮化铝（AlN）的电子设备散热材料。计划每年供应约 4,000 平方米作为电动汽车 (EV) 和工业激光器的基板。使用纤维状 AlN 的基板是该公司的强项之一，其强度大约是竞争对手的粉末状 AlN 的两倍。 该公司旨在以接近每平方米 16 日元的市场价格提供产品。

产品以陶瓷基板的形式提供，用于电子设备。使用 AlN 的基板具有高散热性，因此具有能够抑制因热量累积导致的性能下降的优点。但是，与氮化硅相比，断裂韧性值只有一半左右，在耐久性方面是弱点。此次，U-MAP利用制作纤维状AlN的技术，开发出兼具散热性和耐久性的基板，断裂韧性值达到与氮化硅相同。社长西谷健治表示："我们可以在保持散热性能的同时使零件更小。"

首先，U-MAP计划在光纤通信、工业激光零部件等产品生命周期较短的领域将产品销往国内市场，预计最快2027年供应EV逆变器（功率转换器）。

目前已经筹集约7亿日元用于构建生产体系。该公司计划在其位于爱知县濑户市的工厂安装设备，以去除纤维状 AlN 中所含的杂质。在陶瓷基板的生产方面，该公司与冈本硝子合作，将生产外包。U-MAP 是名古屋大学的一家企业，成立于 2016 年。 该公司在纤维状 AlN 制造技术方面具有优势，该技术采用从气态中提取固体的气相生长方法。

来源：日刊工业新闻