11月10日至13日，备受瞩目的欧洲SEMICON Europa 2026展会在德国慕尼黑盛大举行。作为中国第三代半导体碳化硅（SiC）材料领域的领军企业，同光半导体（Synlight）携全品类、全尺寸的产品矩阵重磅亮相，向全球客户集中展示了公司在碳化硅衬底领域的全产业链制造底蕴、前沿技术突破及全球化交付实力。
同光半导体展示的12英寸N型和12寸高纯半绝缘型SiC衬底吸引了众多海外客户驻足。该产品不仅展现了同光在长晶工艺上的优秀控制力，更为新能源产业的高效降本、光学材料应用及下一代通信射频应用提供了坚实的底层材料支撑。
全产业链自主可控，铸就规模化稳定交付底气
除大尺寸产品外，同光半导体全面展示了覆盖6、8、12英寸的导电型（N型）、高纯半绝缘型、低阻型导电衬底和导电型SiC晶锭产品矩阵。
目前，同光已深度融入全球半导体供应链，与欧美、日韩、中国大陆和中国台湾等地的功率半导体巨头建立了深度合作，并稳居其核心供应商前列。展会现场，同光团队与来自全球的器件制造巨头就大尺寸化降本路径及后续合作进行了深入探讨。
聚焦“功率+散热+光学”，底层技术指标全面领跑
展会现场，同光半导体在新能源、AI算力与热管理、AR眼镜的创新材料方面备受瞩目。支撑这些前沿应用落地的，是同光在新一代碳化硅衬底底层技术上实现的核心突破：
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低阻衬底：攻克量产缺陷控制问题
在低阻衬底（N型）方面，成功攻克了高掺杂下伴随的高位错及SF密度等难题，量产缺陷控制水平与常规衬底完全一致，完美契合高端车规级功率器件的严苛要求。
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大尺寸跨越：12英寸指标比肩8英寸
同光12英寸衬底的应力与缺陷水平已实现与8英寸相当，TSD (XRT) ≤100 ea/cm²。
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光学标杆：极致面型与超高透光
面向AR/MR智能终端，同光光学级高透光SiC晶圆展现出卓越性能：可见光吸收率≤0.2%，8英寸TTV达0.5μm（预计2028年12英寸量产TTV≤0.5μm），是AR眼镜衍射光波导的理想基底材料。
前沿首创：PVT法量产P型衬底
在业界公认的技术难点上，同光成功首创使用PVT法量产P型衬底，解决了铝掺杂难以稳定控制和高铝诱发缺陷形核的痛点。指标实现EPD<1000 cm⁻²、TSD (XRT) <100 cm⁻²及零MPD缺陷。