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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights…
2023年7月11日，Electronica China 慕…
7月11日-13日，2023慕尼黑上海电子展在国家会展中心（…
电力电子系统（如马达驱动）中功率器件开关损耗的降低受到电磁干…
前面我们分享了汇川技术功率器件首席专家吴桢生先生的《IGBT…
芯未半导体 CDPOWER 7月8日上午，高投芯未高端功率半…
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近日，浙江晶能微电子有限公司设计开发的两款FRD产品流片成功…
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IGBT和MOS你选对了吗 MOSFET和IGBT均为集成在…
