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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
10月27日，赛晶科技旗下子公司 赛晶亚太半导体科技（浙江）…
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10月19日，正齐半导体年产六万颗高阶功率模块研发生产项目在…
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近年来，我国年工业生产总值不断提高，但能耗比却居高不下，高能…
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