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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
英飞凌科技与现代汽车和起亚签署了碳化硅（SiC）和硅（Si）…
IGBT作为一种新型功率半导体器件，是工业控制及自动化领域的…
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近日，杭州萧山经济技术开发区举行正齐半导体年产六万颗高阶功率…
11月14日，芯动半导体自主研发的GFM平台 750V/82…
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株式会社日立制作所为实现功率半导体业务的进一步发展和提升企业…
10月27日，赛晶科技旗下子公司 赛晶亚太半导体科技（浙江）…
10月26-27日，以“创芯致远，共赢未来”为主题的2023…
