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半导体产业资源汇总
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
近年来，我国年工业生产总值不断提高，但能耗比却居高不下，高能…
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10月17日，有投资者在互动平台向宏微科技提问：请问贵公司是…
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）扩大了支持电路仿…
11月8日，2023年 IGBT/SiC 产业论坛，将在深圳…
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提高4.5 kV IGBT模块的功率密度 未来对电力电子变流…
IGBT模块的额定值和特性 举例说明IGBT的额定值和特性：…
