光掩模的制造工艺

光掩模是用于LSI等集成电路制造工序的重要器件。在透明玻璃板表面的遮光膜上蚀刻加工了非常微细的电路图案，成为对硅晶圆复刻电路时的原版。将光掩模上的图案缩小投射到硅晶圆上，形成微细的图案。

曝光处理

将在光掩模表面形成的半导体器件的电路图案，通过紫外线复刻到硅晶圆表面的光致抗蚀剂（感光树脂）上。这时，图案经光刻机（曝光装置）的缩小透镜缩小至原来的四分之一。

光掩模的制造工艺

根据电路图案数据，采用电子束复刻技术在光掩模基板上形成掩膜图案，然后经过蚀刻、去除感光树脂、清洗、测定、检查工序，最后完成光掩模的加工。

1. 光掩模底板
   

在以高精度研磨的高纯度合成石英玻璃基板上蒸镀铬等，形成厚度为数十纳米的遮光膜，这种状态的玻璃基板被称为光掩模底板

1. 绘图
   

在光掩模底板表面均匀涂布光致抗蚀剂（感光树脂），然后使用电子束绘制电路图案。

3、显影

去除经电子束曝光的光致抗蚀剂（根据光致抗蚀剂的种类，也有去除未曝光部分的情况）。

4、蚀刻

采用反应性气体对露出遮光膜的部分进行化学反应（干蚀刻）加工。

5、去除光致抗蚀剂

最后，去除光致抗蚀剂并清洗，制成光掩模。此后，光掩模经过检查工序等后出厂。

文章来源：凸版印刷，原文链接：https://www.toppan.co.jp/electronics/sc/photo_mask/semicon/