9月4日，长电科技发布公告称，为满足公司业务发展的资金需求，增强公司的资本实力，提升盈利能力，公司拟向特定对象发行 A 股股票募集资金不超过 650,000.00 万元（含本数） ，用于高性能计算高端先进封装平台扩产项目、 高端电源模组先进封装测试产能升级项目、 晶圆级封装先进工艺平台升级扩能项目、 高密度大容量存储芯片系统级封测能力升级项目及补充流动资金和偿还银行贷款。
（一）高性能计算高端先进封装平台扩产项目
该项目总投资约235,057.22万元，拟使用募集资金150,000万元，建设期为20个月，实施主体为长电微电子（江阴）有限公司，地点位于江阴市东安路1号。项目旨在提升超高性能计算芯片、服务器网通设备芯片等高端先进封装测试产能，依托XDFOI®技术平台推进Chiplet与异构集成，实现大规模高端封装量产。
项目必要性在于AI大模型推动算力指数级增长，先进制程供应紧张，下游对属地化高端封装需求迫切，同时XDFOI®平台需向更高集成度、更大尺寸和光电共封等方向演进。
项目可行性基于全球先进封装市场2031年预计达1,086亿美元，国内高端封装至2030年复合增长率高达93.7%，且公司XDFOI®平台已形成“量产、验证、研发”完整梯队，技术对标国际先进水平。
（二）高端电源模组先进封装测试产能升级项目
该项目总投资163,645.00万元，拟使用募集资金100,000万元，建设期20个月，实施主体为长电科技（江阴）有限公司，地点位于江阴市高新技术产业开发区长山大道78号和东定西路1号。项目扩充FCLGA封装及模组产能，满足AI数据中心高功率电源系统需求，服务高端电源芯片及模组头部厂商。
项目必要性在于GPU功耗跃升至近3000W，机柜功率密度将超900kW，传统电源无法满足，需快速布局FCLGA模组和多相供电集成技术。
项目可行性方面，公司FCLGA产品已大批量出货稳居全球第一梯队，产能接近饱和，下游需求旺盛，且已通过多家头部客户审厂，同时掌握多次真空回流焊接、激光割切等关键工艺，并具备低损基板和高导热材料技术储备。
（三）晶圆级封装先进工艺平台升级扩能项目
该项目总投资183,173.74万元，拟使用募集资金110,000万元，建设期20个月，实施主体为江阴长电先进封装有限公司，地点位于江阴高新技术产业开发区长山大道78号。项目用于晶圆级封装（Bumping）扩产，强化“Bumping+封装+测试”一体化交付能力。
项目必要性在于行业向FC、WLCSP等先进封装转型，Bumping已成为中道核心产能瓶颈，全球Bumping市场2026-2035年增长率预计为6.9%，且产能不足将导致订单外流，扩产可稳固客户并支撑Cu pillar、微间距等高端工艺导入。
项目可行性基于公司晶圆级产线接近满产，优先保障高毛利产品，扩产有利于扩大工业、运算、汽车领域客户；同时公司拥有20年晶圆级封测经验，兼容6/8/12寸全尺寸，本次是在成熟平台上产能复制和工艺升级，风险低、良率爬坡可控，是未来多产品线协同发展的底座能力。
（四）高密度大容量存储芯片系统级封测能力升级项目
该项目总投资185,094.81万元，拟使用募集资金100,000万元，建设期36个月，实施主体为星科金朋半导体（江阴）有限公司，地点位于江阴高新技术产业开发区长山大道78号。项目采用Wire Bonding与Flip Chip技术，布局FBGA、FCCSP等封装形式，通过多芯片堆叠实现高密度大容量存储方案，重点服务国内存储客户。
项目必要性在于AI驱动数据量爆发，IDC预测2029年全球数据达527.47ZB，存储产业逻辑从消费电子周期转向算力驱动，AI数据中心存储需求增速超30%，企业级存储增长约25%，远超消费级。
项目可行性基于2025年中国存储封测市场规模约648亿元（占全球30%以上），预计2030年达1,411.6亿元（CAGR 16.8%），公司在存储封测领域拥有20余年经验，覆盖NAND Flash与DRAM全系列，在高密度堆叠、FC+WB混合封装方面具备行业领先工艺，可提供一站式封测服务。
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