5月8日，广东省重点领域研发计划“芯片设计与制造”重大专项《玻璃基封装基板关键技术研发与应用》项目启动会在佛山顺利召开。GHTECH光华科技承担项目中“实现高深径比（AR>30:1）玻璃基板TGV金属化填充”的关键任务，着力攻克高深径比通孔填充过程中的空洞控制与表面形貌调控难题，为玻璃基封装基板的高可靠互连奠定核心工艺基础。
协同创新，实现封装产业技术突破
该项目由广东佛智芯微电子有限公司牵头，联合广州美维电子有限公司、光华科学技术研究院（广东）有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、应科院科技研究（深圳）有限公司组建产学研联合体协同攻关。本次启动会有广东省科学技术情报研究所相关领导、行业专家及各项目单位负责人、科研骨干共20余人参加本次项目启动会。
项目负责人崔成强教授作项目整体汇报，他表示，玻璃基封装基板是后摩尔时代半导体封装领域的核心关键材料，本次项目精准把握产业发展关键节点，对突破行业技术瓶颈、实现传统封装材料替代、提升广东省集成电路产业核心竞争力具备重要战略价值。
攻克30:1高深径比玻璃基板金属化填孔
光华科学技术研究院作为核心参与单位，将承担项目中“实现高深径比（AR>30:1）玻璃基板TGV金属化填充”的关键任务。该任务面临三大技术挑战: 一是PVD溅射深孔能力不足，导致种子层覆盖不完整，在孔中间存在断铜风险；二是高深径比结构易导致电镀液流动受阻，孔中心铜离子补充不足，再加上电流密度在孔口（边缘和拐角）处最高，导致铜离子优先在孔口快速沉积，一旦过早闭合，就会把电镀液和气泡包裹在孔中心，形成致命的空气间隙或孔洞；三是铜与玻璃的热膨胀系数严重不匹配，在电镀填充过程中，如果内部产生过大的热应力，极易导致脆性的玻璃基板发生翘曲甚至开裂。
光华科技将依托其在高端电子化学品及先进封装材料领域的技术积淀，自主研发适用于超高深径比的金属化填孔工艺与配套材料，着力解决空洞控制与表面形貌调控难题，为玻璃基封装基板的高可靠互连奠定核心工艺基础。
此次项目启动会的顺利召开，标志着项目正式进入实施阶段。各参与单位将以此为契机，充分发挥在印制电路、封装集成、材料研发等领域的专业优势，形成“产学研用”协同创新合力，共同推动我国玻璃基封装基板技术迈向国际先进水平，为高端芯片自主可控提供坚实的封装材料支撑。
新闻来源 | 佛智芯微电子
