近日，NORITAKE开发了一种用于玻璃通孔（TGV）的银浆。该技术能够实现大规模计算处理，并有助于人工智能技术的普及和发展。
由于需要进行海量计算，人工智能服务器会消耗大量电力。随着人工智能的不断普及和扩展，实现高速处理和低功耗变得至关重要。为了应对这一挑战，市场对更薄、采用三维堆叠结构的先进半导体封装的需求日益增长。
在采用3D封装技术的先进半导体封装中，半导体芯片和印刷电路板之间放置了核心基板，并通过钻孔和成型通孔（互连孔）将它们连接起来。
半导体工作时，温度可高达约300°C，这可能会导致传统树脂基板发生翘曲或性能退化。为了克服这一问题，目前正在开发使用耐热玻璃作为核心基板的技术。
对于玻璃基板上TGV互连的实际应用，铜电镀技术被认为很有前景。然而，它也面临着一些挑战，例如加工时间长以及通孔处容易产生裂纹。
这款用于TGV的银浆，解决了铜电镀工艺中的诸多问题。通过采用专有的成分设计和颗粒分散技术，最大限度地提高了银颗粒的含量，在实现与传统铜电镀相当的电阻值的同时，显著提升了互连工艺的效率。
① 加工时间缩短至五分之一：
互连是通过在通孔中填充银浆并烧结形成的，大大缩短了加工时间。同时，也省去了电镀前的预处理步骤。
② 有助于减少缺陷
能够承受半导体运行过程中温度变化的成分和颗粒分散技术有助于抑制裂纹的形成。
通过使用这种银浆进行互连，将促进耐热玻璃基板的采用，从而在先进的半导体封装中实现更快的处理速度和更低的功耗，进而有助于人工智能的进一步普及。
来源：https://www.noritake.co.jp/eng/news/detail/692/，侵删
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