2024年4月，杭州镓仁半导体有限公司正式推出2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，在(010)衬底的研发生产方面再创新高，助力国内氧化镓相关产业摆脱国际垄断，同时实现高质量发展。
氧化镓(β-Ga2O3) 具有禁带宽度大、击穿场强高、巴利加优值大等优点，使基于氧化镓的功率器件具有更大的工作电流、电压以及更小的导通电阻、器件尺寸和更高的转换效率，主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件，在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等领域具有广阔应用前景。
此前，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用杨德仁院士团队自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶衬底。2024年4月，杭州镓仁半导体有限公司再次推出新产品——2英寸晶圆级(010)氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸(010)氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断。
在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现。首先，（010）衬底热导率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）衬底具有较快的外延生长速率；第三，基于（010）衬底制备的器件具有更优异的性能。
未来，公司研发团队将继续开展自主创新工作，逐步突破更低成本、更高质量的氧化镓衬底，推动氧化镓产业高质量发展，助力“碳中和”、“碳达峰”的发展目标。
[公司产品一览表]
[公司简介]
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杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业。公司开创了氧化镓单晶生长新技术，拥有国际、国内发明专利十余项，突破了美国、德国、日本等西方国家在氧化镓衬底材料上的垄断和封锁。镓仁半导体立足于解决国家重大需求，将深耕于氧化镓上游产业链的持续创新，努力为我国的电力电子等产业的发展提供产品保障。
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原文始发于微信公众号（镓仁半导体）：新品推出︱晶圆级(010)氧化镓单晶衬底
