1月25日,由湖南大学、湖南大学无锡半导体先进制造创新中心和江苏优普纳科技有限公司等单位共同完成的“非球面光学纳米级复合加工机床”和“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”两项科技成果鉴定会在湖南大学无锡半导体先进制造创新中心召开。

“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平

成果完成单位代表湖南大学丁荣军院士,湖南大学无锡半导体创新中心中心执行主任、项目负责人尹韶辉教授,总工刘坚教授及团队成员参加会议。西安交通大学蒋庄德院士、华中科技大学丁汉院士、中国机床工具协会副理事长王黎明、苏州大学机械工程学院院长孙立宁、中国机械工业联合会副总工程师温顺如、中国机械工程学会梅熠、南京航空航天大学机电学院院长傅玉灿、江南大学机械工程学院院长赵军华、南京波长光电科技股份有限公司总经理王国立、宁波舜宇红外技术有限公司部长周刚、中电化合物半导体有限公司总经理潘尧波、株洲中车时代半导体有限公司部长赵艳黎等共12位专家及用户代表参加此次鉴定会。

“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平
“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平

项目组主要成员舒成松博士作“非球面光学纳米级复合加工机床”项目汇报,王哲博士作“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”项目汇报。鉴定委员会一致认为项目成果达到国际先进水平,部分指标国家领先,建议进一步扩大市场应用。

“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平
湖南大学无锡半导体创新中心表示将继续深耕半导体光学领域,解决我国非球面光学机床及第三代半导体晶圆减薄技术及装备的卡脖子问题,实现国产替代,推动我国超精密制造技术的发展。

碳化硅半导体产业链很长,为了促进行业交流和发展,艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群,欢迎碳化硅前道材料与加工设备,后道器件生产和模块封装的行业朋友一起加入讨论。

“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平
来源:湖南大学无锡半导体创新中心
推荐活动
碳化硅半导体加工技术创新产业论坛(苏州·7月4日)

01

会议议题

序号

暂定议题

拟邀请企业

1

8英寸碳化硅衬底产业化进展

拟邀请碳化硅衬底企业/高校研究所

2

大尺寸碳化硅单晶生长技术痛点解析

拟邀请碳化硅单晶制备企业/高校研究所

3

新一代切片机“破局”8英寸碳化硅

拟邀请切割设备企业/高校研究所

4

激光技术在碳化硅切割及划片上的应用

拟邀请激光企业/高校研究所

5

液相法制备碳化硅技术

拟邀请碳化硅企业/高校研究所

6

国产MBE设备应用及发展情况

拟邀请碳化硅外延企业/高校研究所

7

SiC MOS器件结构设计解决方案

拟邀请碳化硅器件企业/高校研究所

8

车用碳化硅加工工艺与要点研究

拟邀请碳化硅加工企业/高校研究所

9

利用碳化钽的碳化硅单晶生长技术

拟邀请碳化硅企业/高校研究所

10

碳化硅衬底研磨抛光工艺及耗材技术

拟邀请研磨抛光设备企业/高校研究所

11

适用于8英寸碳化硅的先进切割工艺

拟邀请切割设备企业/高校研究所

12

化学机械抛光在碳化硅上的反应机理

拟邀请抛光设备企业/高校研究所

13

碳化硅衬底及外延缺陷检测技术

拟邀请检测设备企业/高校研究所

14

8英寸碳化硅外延材料生长核心工艺与关键装备

拟邀请碳化硅外延企业/高校研究所

15

外延掺杂技术的优化与改进

拟邀请碳化硅外延企业/高校研究所

16

8英寸碳化硅的氧化工艺技术

拟邀请碳化硅企业/高校研究所

17

碳化硅离子注入设备技术

拟邀请离子注入企业/高校研究所

18

高纯度碳化硅粉末制备碳化硅晶体

拟邀请激光企业/高校研究所

19

碳化硅先进清洗技术

拟邀请清洗设备企业/高校研究所

20

碳化硅关键装备的现状及国产化思考

拟邀请碳化硅设备企业/高校研究所

更多相关议题征集中,演讲及赞助请联系张小姐:13418617872 (同微信)

“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平
 

02

拟邀企业

  • 高纯碳粉、硅粉、碳化硅粉末、坩埚、籽晶等材料企业;
  • 晶锭、衬底、外延、晶圆等产品企业;

  • 碳化硅晶体、外延生长等设备企业;

  • 金刚石线切割、砂浆线切割、激光切割等切割设备企业;

  • 碳化硅磨削、研磨、抛光和清洗及耗材等企业;

  • 检测、退火、减薄、沉积、离子注入等其他设备企业;

  • 高校、科研院所、行业机构等;

……

03

报名方式

方式1:请加微信并发名片报名

“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平
 肖小姐/Nico:13684953640
ab012@aibang.com
演讲或赞助联系 Elaine 张:134 1861 7872(同微信)

“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平

方式2:长按二维码扫码在线登记报名

 

“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平

或者复制网址到浏览器后,微信注册报名:

https://www.aibang360.com/m/100182?ref=172672

 

04

收费标准

付款时间

1~2个人(单价每人)

3个人及以上(单价)

4月30日前

2600/人

2500/人

6月2日前

2700/人

2600/人

7月2日前

2800/人

2700/人

现场付款

3000/人

2800/人

费用包括会议门票、全套会议资料、午餐、茶歇等,但不包括住宿。

 

05

赞助方案

“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平
点击阅读原文,即可在线报名!

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平

一颗芯片的制造工艺非常复杂,需经过几千道工序,加工的每个阶段都面临难点。欢迎加入艾邦半导体产业微信群:

长按识别二维码关注公众号,点击下方菜单栏左侧“微信群”,申请加入群聊

作者 liu, siyang