2023 年 6 月 13 日，全球最大的纯化合物半导体代工厂稳懋半导体（WIN Semiconductors） 发布其下一代集成毫米波 GaAs 平台 PQG3-0C。
针对毫米波前端，PQG3-0C 技术结合了单独优化的 E 模式低噪声和 D 模式功率 pHEMT，以在同一芯片上实现一流的 PA 和 LNA 性能。E 模式/D 模式 pHEMT 的 ft 分别为 110GHz 和 90GHz，均采用深紫外步进技术制造的 0.15µm T 形栅极。 深紫外光刻是一种经过验证的大批量制造技术，适用于短栅极长度器件，并消除了传统电子束图案化的吞吐量限制。 PQG3-0C 提供两个带射频开关和 ESD 保护二极管的专用毫米波晶体管，支持广泛的前端功能，并增加了片上功能。
E 模式和 D 模式晶体管均可用于毫米波放大并在 4V 下工作。 D 模式 pHEMT 以功率放大器为目标，提供超过 0.6 瓦特/毫米的功率和 11dB 线性增益，在 29GHz 测量时功率附加效率接近 50%。 E-mode pHEMT 作为单电源 LNA 运行效果最佳，在 30GHz 时提供低于 0.7dB 的最小噪声系数，具有 8dB 相关增益和 26dBm 的三阶输出截距 (OIP3)。
PQG3-0C 平台在 150mm GaAs 基板上制造，提供两个具有低 k 电介质交叉的互连金属层、用于紧凑型 ESD 保护电路的 PN 结二极管和射频开关晶体管。 最终芯片厚度为 100µm，带有晶圆通孔 (TWV) 的背面接地层是标准配置，可配置为芯片射频转换，以消除毫米波频率下键合线的不利影响。 PQG3-0C 还支持倒装芯片封装，并且可以与 WIN 内部凸块生产线中制造的铜柱凸块一起交付。
稳懋半导体成立於1999年，是全球首座以六英吋晶圆生产砷化镓微波积体电路（GaAs MMIC）的专业晶圆代工服务公司。在无线宽频通讯的微波高科技领域中，稳懋目前提供两大类砷化镓电晶体制程技术：异质接面双极性电晶体(HBT)和应变式异质接面高迁移率电晶体(pHEMT)，二者均为最尖端的制程技术。在光通讯及3D感测领域中，稳懋更以MMIC生产技术为基础，提供光电产品的开发与生产制造。
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