近日,中国电科46所成功制备出2英寸氧化镓同质外延片,实现在该领域的再次突破。

 

走进紧张忙碌的新型半导体材料重点实验室,一台台单晶和外延生长设备映入眼帘,在这些看似神秘的装置里,白色氧化镓粉末聚沙成塔默默生长,由它打磨而成的抛光片、外延片,制作成的各类器件,在消费电子、新能源汽车、特高压输电、轨道交通等领域有着广阔应用前景。

 

氧化镓作为第四代半导体材料可谓"天资卓越",超大禁带宽度使其能用更少材料制造出更高耐压、更强处理能力的半导体器件。面对氧化镓自主创新重任,46所实施揭榜挂帅,突破2英寸、4英寸氧化镓单晶生长技术,研制出高耐压外延片,为实现氧化镓批量生产打下坚实基础。

 

 

这是中国电科加快关键基础材料自主创新的生动实践。

 

坚持把科技命脉掌握在自己手中,46所以超宽禁带半导体技术创新为引领,以硅外延产业优势为依托,加快突破先进硅材料和化合物半导体材料原创技术。

 

从率先研制出满足深紫外探测要求的高透氮化铝单晶,技术领先的同带泵浦激光光纤,到大幅提升6英寸砷化镓单晶材料电阻率,从形成硅单晶、硅片、硅外延等完整产业链,到光纤环圈产能产量实现翻番增长。近年来,立足电子功能材料领域深厚基础,46所聚焦"打基础、见成效、跨越式发展"三步走目标,全面布局一代、二代、三代、四代半导体"赛道",奋力实现系列创新突破。

 

创新实力稳步提升,为产业应用提供了硬支撑。

 

全力推进科技成果转化和产业化发展,46所加快布局第三代半导体材料产业,不断延链扩链强链,不断提升行业地位和影响力,勇担产业链"链长",奋力打造国内领先、世界先进的材料创新发展集群,支撑我国半导体材料产业蓬勃发展。

来源:中电科官网

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作者 gan, lanjie