AI芯片越做越大，承载芯片的“载板”也随之面临新难题：面积一大，材料在受热、冷却过程中就容易翘曲变形。这也是玻璃基板、TGV（玻璃通孔）等名词近来频繁出现的原因。
高阶AI封装通常会把GPU等运算芯片与多颗HBM整合在同一封装内，有些设计也会纳入其他小芯片，承载这些元件的中介层与封装载板因此面临更大的面积需求。以台积电公布的CoWoS路线图为例，目前量产封装已达5.5倍光罩尺寸，2028年将朝14倍发展。
封装持续放大，也连带提高载板的面积与平整度要求。如何控制材料在反复加热、冷却过程中的形变，避免翘曲、维持平整，成为新的技术课题，也让玻璃基板成为市场讨论焦点。
本文将先说明玻璃基板位于芯片封装的哪一层，再拆解TGV玻璃通孔的5个制程步骤。
玻璃基板是什么？在芯片封装的哪一层？
一颗AI芯片封装由上到下，大致可分为以下几层：
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芯片（chip）：位于封装最上层。
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微凸块（micro bump）：用来连接芯片与中介层、载板，传递电源与信号的微小导电接点。
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中介层（interposer）：用来高密度连接GPU、HBM及其他小芯片，并非所有封装都需要。
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封装载板（substrate）：负责承接芯片或中介层等上方结构，并将信号与电源向下连接至PCB。
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印刷电路板（PCB）：承载芯片封装与其他电子元件，并通过线路传递电源与信号。
玻璃基板要改变的，就是其中的封装载板。目前高阶封装载板多使用有机材料作为核心，但这类材料受热会膨胀、冷却后收缩。面积越大，尺寸变化与翘曲越难控制，也会影响线路位置与芯片接合。
所谓玻璃基板（glass substrate），是指将载板中央的核心材料改成玻璃。
图／《数位时代》373期
玻璃基板优点是什么？3大优势一次看
玻璃刚性较高，热膨胀特性也能通过材料配方调整，因此成为大型封装正在发展的选项。归纳来看，玻璃基板有3项优势：
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形状更稳定：玻璃刚性较高，热膨胀特性也能调整，大尺寸下较有利于控制翘曲。
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高速信号损耗低：玻璃材料可设计出较低的介电损耗，减少高速信号传输过程中的能量损失。
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具有大面积加工潜力：显示器产业已有大尺寸玻璃面板的量产经验。
TGV玻璃通孔是什么？TGV最大技术挑战是？
玻璃本身不导电。为了连接玻璃载板上下两侧的线路，让信号与电源穿过玻璃，须在玻璃中制作微小通孔，并在孔内形成金属导电路径，这类结构称为TGV（through-glass via，玻璃通孔）。
TGV玻璃通孔怎么做？5个步骤一次看
TGV成孔方式不只一种，以激光改质搭配化学蚀刻制程为例，可分为5个步骤：
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激光改质：用激光照射预定开孔的位置，改变局部玻璃结构。
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蚀刻成孔：利用化学药液优先移除被激光改质的区域，形成贯穿玻璃的微小通孔。
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孔壁金属化：在孔壁形成一层薄金属，作为后续电镀的基础。
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铜电镀：利用电镀增加孔内的铜层，部分制程会将整个通孔填满。
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上下导通：TGV成为穿过玻璃的垂直导电路径，连接载板上下两侧的线路。
图／《数位时代》373期
目前最值得观察的是台积电与英特尔。2026年7月台积电法说会上被询及玻璃基板、玻璃核心时，魏哲家表示正开发替代方案并与载板供应商合作，预估约1年成熟；另有供应链消息指出，台积电正与Ibiden、群创验证玻璃核心载板导入下一代CoWoS。英特尔在2023年公开玻璃基板技术，2026年7月再宣布与蓝思科技合作，加速开发玻璃基板封装方案。
