Elephantech 于 2026 年 4 月宣布，其已开发出用于下一代半导体封装的铜纳米浆料“SAphire G”，该浆料可在高纵横比 (AR) 的玻璃基板通孔 (TGV) 中实现低收缩率和高导电形成可靠性。
用于人工智能和高性能计算 (HPC) 的半导体封装正变得越来越密集和庞大。这给传统的有机基板带来了挑战，例如热变形和难以形成精细布线。因此，玻璃基板正受到越来越多的关注。然而，即使使用玻璃基板，在高密度通孔中形成导电层的方法仍然是实际应用中的一大难题。
所开发的SAphire G采用了一种独特的自组装铜纳米颗粒（SA-CuNP）技术。该技术将15nm级的铜纳米颗粒吸附在微米级铜颗粒的表面，使整个结构发挥出大尺寸纳米颗粒的作用。这使得在低温烧结的同时，纳米颗粒的含量仍能保持在约10wt%。此外，有机分散剂的用量控制在1wt%以下，从而最大限度地减少了烧结后的残留杂质。
通过优化SA-CuNP技术在TGV填充应用中的性能，SAphire G由于纳米颗粒含量较低，显著降低了固化收缩率。这使得直径为50 μm、厚度为0.5 mm的TGV能够形成孔隙率和裂纹更小的导体。
SAphire G充填、焼結、熱衝撃試験後のTGV断面 来源：Elephantech
加工方法也很简单：填充浆料并烧结。此外，它以铜为基材，材料成本约为银基材料的1/60。而且，通过独特的颗粒设计，它有望实现与银基浆料相媲美的导电性能。
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