1月13日，韩国SK海力士宣布，将投资19万亿韩元（约合897亿人民币）在韩国建设一座先进芯片封装工厂P&T7，增强其HBM业务，以满足人工智能应用持续增长的存储芯片需求。
公司表示，工厂将于今年4月开工建设，预计于2027年底竣工，并于2028年全面投入运营。
这是SK海力士位于清州的新型先进芯片包装厂P&T7的效果图，该厂将于2027年底建成
封装在人工智能竞赛中占据中心地位
P&T7工厂将负责前端晶圆厂生产的芯片的最终组装和质量验证，通过尖端封装技术将硅芯片转化为成品。
在人工智能存储器（例如HBM）领域，多个DRAM芯片垂直堆叠以提升性能和能效，封装已成为关键的差异化因素。封装技术无需通过超精细加工缩小纳米尺寸即可提升半导体性能，而超精细加工技术难度高且耗时更长。
图片来源：In-Soo Nam · Gemini (Nano Banana)
业内高管表示，随着HBM堆叠层数从目前的16层增加到20层甚至更多，先进封装工艺的精度和良率将在很大程度上决定其竞争力。
据业内估计，在生成式人工智能和高性能计算领域投资激增的推动下，全球HBM市场预计到2030年将以33%的复合年增长率增长。
作为英伟达（NVIDIA）的主要HBM供应商，SK海力士在2024年的HBM市场中占据领先地位，全球份额达61%。其竞争对手包括三星电子（19%）和美光科技（20%）。
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新厂将与SK海力士位于清州的M15X毗邻而建。一旦P&T7工厂投产，M15X生产的DRAM晶圆预计将在厂内封装成HBM产品，从而形成一条紧密整合的生产链。
清州园区目前已拥有NAND闪存晶圆厂M11、M12和M15，以及P&T3后端工厂。
SK海力士的HBM4芯片（图片来源：韩联社）
随着P&T7的加入，SK海力士将在全球运营三个先进封装中心，分别位于首尔附近的利川、韩国清州和美国印第安纳州西拉法叶，从而增强其供应链韧性，以满足客户对更快、更可靠的AI内存交付的需求。
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