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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
2023 云潼科技 完成数亿元A轮融资 行稳致远，聚焦车规 …
5月28日上午，杭州道铭微电子有限公司集成电路及功率器件系统…
IGBT模块是新一代的功率半导体电子元件模块，诞生于20世纪…
2023年5月25日，在杭州举行的 CAPS2023 功率半…
5月18日，中国西部国际投资贸易洽谈会央地合作暨重点项目签约…
IGBT是目前发展最快的功率半导体器件之一,是国际上公认的电…
5月22日，中车株洲电力机车研究所有限公司旗下时代电气，为三…
2023中国车规级功率半导体峰会暨创新技术展正在杭州龙禧福朋…
5月24日上午，建工集团承建的 1000吨碳化硅半导体材料项…
让世界信赖中国功率半导体！ 暌违两年，2023年5月24日，…
