霍英东研究院｜“拓诺稀科技”首个生产厂房在南沙启用，赋能湾区半导体材料产业集群

拓诺稀科技生产厂房位于粤港澳大湾区“黄金内湾”广州南沙，占地约500平方米，集研发、测试、制造、工艺支持于一体。设有MOCVD工艺区和离子注入室、专用的气体储存间、固废处理间，全面保障高科技产品制造的稳定与安全。

氧化镓（Ga₂O₃）作为一种具有超宽禁带的半导体材料，在高压功率电子、射频通讯、光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。由香港科技大学（广州）陈子强教授与其博士生共同创立的拓诺稀科技，聚焦于氧化镓外延薄膜的制备及高性能半导体器件的开发，是全球独家通过MOCVD工艺实现了稳定p型导电氧化镓外延层的企业，填补了氧化镓材料体系中长期缺失的p型导电空白。

陈子强教授表示：“我们解决了氧化镓20年的无p型导电性能痛点，解锁氧化镓的双极器件能力，重构氧化镓的产业链生态，市场规模提升至少10倍，百亿规模市场变为数干亿规模市场。”

团队成功改造MOCVD工艺的生产设备在厂房中运行良好，实现了设备平台与氧化镓材料的深度适配，为第四代半导体材料的本土化生产与应用提供了可持续的技术支持平台。

拓诺稀科技通过实现p型导电，使得氧化镓材料具备构建pn结及其他双极型器件（如BJT、IGBT）的能力，显著拓展在新能源汽车、工业机器人、电力能源等领域的应用空间。团队采用自主研发的MOCVD外延及加工工艺，形成全球独有的技术体系，支持多层pn结构设计以实现差异化器件性能。工艺兼容半导体行业标准设备，具备大规模量产与高度产业化的可行性，为晶圆加工和芯片集成提供坚实支撑。

拓诺稀科技制备的外延片样品

2022年，拓诺稀科技入选霍英东研究院“TSP红鸟高端团队”并入驻粤港澳（国际）青年创新工场。成立初期，霍英东研究院为其提供了关键的资金支持与良好的孵化环境，助力项目快速组建团队；香港科大（广州）积极推动拓诺稀科技参加创业大赛、路演活动，提升项目在大湾区的曝光率与知名度，并帮助团队对接资本市场，链接包括力合科创在内的优质投资人资源。 在霍英东研究院与港科大（广州）的协同赋能下，拓诺稀科技于2024年成功完成数百万元天使轮融资。该轮资金主要用于引进先进设备，提升MOCVD技术路线的产能，以满足快速增长的市场需求。

未来，拓诺稀科技将以厂房落地为起点，携手产业链上下游合作伙伴，加快国产新材料从“可做”到“可用”再到“可量产”的转化进程，助力我国在第四代半导体材料领域实现技术自主和全球引领。

广州拓诺稀科技有限公司自2022年在广州南沙成立以来，便以Tan Chee Keong（陈子强）教授为核心，带领一支来自于港科大（广州）的博士精英人才团队，团队成员均毕业于香港中文大学、宾夕法尼亚州立大学等全球知名学府。公司专注于氧化镓外延薄膜的制备及高性能半导体器件的开发，依托港科大（广州）的技术和研究平台，致力于推动氧化镓在新一代半导体技术中的应用。通过持续的技术创新与研发，拓诺稀科技为下游产业提供高质量的外延生长服务及器件结构设计与制备服务，他们的产品覆盖多种相态的氧化镓薄膜，力求引领未来科技发展的新方向。

 

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