SiC 东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化 2023-08-31 gan, lanjie 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界…
设备 TEL 发布面向制造8.7世代平板显示器的等离子刻蚀腔室PICP™ EX Plus和APX 2023-08-26 gan, lanjie 摘要 Tokyo Electron(TEL)宣布推出等离子刻…
