9月1日，安徽长飞先进半导体有限公司（以下简称“长飞先进”）武汉基地开工仪式在光谷科学岛举行。
长飞先进半导体武汉基地位于光谷科学岛，项目总投资预计超过200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。一期项目预计2025年建设完成，届时将成为国内重要的SiC功率半导体制造基地。
开工仪式上，长飞先进总裁陈重国在致辞时指出，在碳化硅行业，随着800V新能源汽车的推出，2025年碳化硅市场将迎来全面爆发。为此，长飞先进于2022年开始前瞻性规划武汉基地的建设。武汉基地的顺利开工，标志着公司在第三代半导体领域迈出了重要一步。
原文始发于微信公众号（武汉经信）：长飞先进半导体武汉基地开工仪式举行