11月4号，韩国KOSTECSYS推出TGV-ICP铜柱插针技术，以实心铜互连替代传统玻璃通孔电镀填铜工艺。随着AI芯片、HBM及先进封装对高密度互连、电气性能和散热能力的要求不断提高，传统TGV工艺面临新的挑战。尤其是在高深宽比玻璃通孔加工过程中，传统共形电镀容易形成内部空洞，若采用全孔铜填充，又需要较长的电镀时间，同时还面临填充均匀性及可靠性等问题。
韩国KOSTECSYS推出新一代玻璃互连解决方案——TGV-ICP（Inserted Copper Pillar）微型铜柱插针技术，通过精密微型铜柱直接插入玻璃通孔，以预制实心铜柱取代传统电镀形成的铜互连结构，为玻璃基板及下一代先进封装提供新的技术路线。
根据KOSTECSYS公布的技术资料，传统TGV主要包括两种铜金属化方式：一种是通过共形电镀在玻璃通孔内壁形成铜层，但容易留下内部空腔，限制通孔的电气及热传导性能；另一种是采用全孔铜填充，虽然能够获得较好的电气性能，但电镀周期较长，同时存在空洞形成的风险。
KOSTECSYS的TGV-ICP则采用精密铜柱插入方案，将预制微型铜柱直接嵌入玻璃通孔，形成实心铜垂直互连结构。由于不再依赖传统的长周期电镀填孔工艺，该方案有望缩短生产流程，提高生产效率，并改善玻璃基板的电气与热互连性能。
在材料方面，该技术采用C1020 OFC无氧铜作为铜柱材料，官方资料显示其热导率超过380 W/m·K。铜柱直径、长度可根据不同玻璃基板的设计需求进行调整，示例产品直径为0.12mm。同时，铜柱垂直度及平整度控制在0.005mm以内，以满足精密互连结构的装配要求。
从技术优势来看，TGV-ICP主要体现在三个方面：首先，实心铜结构避免了传统共形电镀形成的内部空腔及铜填充空洞问题；其次，利用高导热无氧铜构建垂直互连通道，有助于提升电气传输和热管理性能；第三，省去传统长周期电镀填孔环节，有望缩短制造周期，提高规模化生产效率。
在应用方面，KOSTECSYS将TGV-ICP定位于AI/HBM、Glass Interposer、Advanced Packaging以及Glass Substrate Platform等领域，希望将微型铜柱插针技术发展为下一代玻璃基板封装平台的重要互连方案。
从产业链角度看，TGV-ICP的出现也为玻璃基板互连提供了不同于传统化学镀、电镀填铜及PVD种子层沉积的技术思路。如果后续能够解决微型铜柱批量制造、精密插入、铜柱与玻璃孔壁之间的固定、上下层RDL连接以及热循环可靠性等问题，将有望为高密度玻璃互连提供新的工艺选择。
随着全球玻璃芯基板产业逐步从技术研发走向客户验证与量产，传统TGV电镀填孔与新型铜柱插针两条技术路线的竞争与互补，也值得产业链持续关注。
