2026湾芯展已于10月16日在深圳会展中心落下帷幕，展会上三叠纪、圭华智能、芯光联半导体、汇成真空、华封科技、电科装备、晶州装备、苏科斯、鑫巨半导体、曼恩斯特、谷微半导体、芯睿科技等公司展出了自家玻璃基板TGV相关展品，多家发布设备新品，如有遗漏欢迎补充。
三叠纪
- 板级玻璃基Interposer，310X310mm
这款新品是首次亮相湾芯展会，意味着公司正式导入全球新一代AI 芯片先进封装工艺体系，全面对齐全球行业头部厂商的主流工艺标准，能够持续为客户提供兼具高性能与高能效比的先进封装方案。
新品基于玻璃通孔技术（TGV）打造的板级Interposer，尺寸310X310mm，RDL层数4-2-4，L/S 2/2μm，具备超高布线密度与优异电气性能，实现低延迟、高带宽的数据传输。其热稳定性与尺寸精度出色，支持先进封装与多芯片集成，显著提升AI计算效率与系统可靠性。
圭华智能
圭华智能携TGV量产技术与设备亮相展会，圭华智能2018年成立，专注于超快激光加工设备、激光工艺、智能激光系统的研发、制造与销售，是国内玻璃基板TGV设备领域头部企业，面向下一代TGV封装载板的成套设备实现全球领先。
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TGV 玻璃通孔
圭华智能自主研发的 “激光钻孔 + 湿法刻蚀 + AOI 检测” 复合工艺体系，可完成玻璃基板微孔加工，最小加工孔径可达 1.5μm，支持 200:1 深径比通孔制备，侧壁光洁度控制在150nm以内，单板可加工百万至千万级微孔。该工艺可加工 510×515mm、730×920mm 玻璃基板，兼容 4–12 寸晶圆，满足先进封装、CPO 光互连场景下严苛的高精度通孔制备需求。
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PLP/TGV 板级封装狭缝涂布
圭华智能开发平板狭缝涂布及干燥固化集成系统方案，涵盖单龙门、双龙门两大系列，配套 VCD、HVCD、HP等设备，可实现从基板上料、涂布、干燥到固化的全流程一体化作业；设备支持基板厚度0.3~1.1mm，加工幅面可达310x310mm、510x515mm、600x600mm。适配粘度1~7000cp，干膜厚度0.5~100um，可实现微纳级薄膜制备全流程的智能精准涂布。
芯光联半导体——深圳职业技术大学集成电路学院
深圳职业技术大学集成电路学院围绕前道工艺智造、先进封装与玻璃基板、集成电路装备关键零部件、高速高频测试和国产芯片应用等平台。
芯光联半导体于2026年7月28日落地深圳南山科创核心区，注册资本109万元，是国内少数实现TGV玻璃基板从工艺研发到稳定量产的硬核科创企业。公司精准卡位AI先进封装、高速光通信、高端显示三大高景气赛道，核心业务涵盖半导体光电基材定制、TGV通孔精密加工、先进封装基板成品交付，专注解决传统基板翘曲、散热差、布线受限等行业卡脖子难题。依托深圳半导体产业集群优势，芯光联打造“校企研发+产线量产+市场落地”的差异化发展模式，锚定国产高端玻璃基板自主可控赛道。
芯光联半导体的TGV玻璃基板全工艺能力全流程自主可控：来料AOI → 激光诱导 LIDE → 湿法/化学刻蚀 →PVD→ 电镀填孔 → 减薄硏磨→ RDL → 光刻显影 → RDL 电镀 → AOI/X-Ray 全检
关键工艺指标：
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孔径：≥3μm
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玻璃厚度：100μm-5000μm
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通孔间距：≥10μm
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锥度：0°-15°可控
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尺寸精度：±1μm
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深宽比：＞15
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板级尺寸：大于600×600mm
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表面均匀度：＜5%
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剥离强度：＞10N/cm
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线宽/线距：15/15μm，可向＜10μm延伸
汇成真空
汇成真空携TGV通孔金属化解决方案亮相展会，面向玻璃通孔（TGV）金属化与先进封装需求，汇成真空提供连续式及Cluster集群式溅射装备方案，围绕Ti黏附层与Cu种子层沉积，开展孔壁覆盖、膜层连续性及附着性能的工艺验证，支持客户从样件开发到量产导入。
TGV 通孔金属化溅射镀膜设备
连续式溅射镀膜设备采用立式双面溅射设计抑制翘曲，提升良率；兼容G1.0-G5.0玻璃基板，覆盖研发至量产全阶段；高深宽比深孔溅射能力，深宽比达10:1，覆盖均匀；侧壁种子层质量控制，着力附着性与连续性。
TGV核心亮点
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面向高深宽比TGV的孔壁金属化
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覆盖连续式及Cluster集群式设备平台
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围绕Ti黏附层与Cu种子层开展膜层连续性及附着性能验证
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支持从研发验证到规模化生产的工艺与设备导入
TGV应用方向
应用方向：玻璃基板TGV、陶瓷基板深孔、ABF有机载板RDL及功率半导体基板金属化。可根据基材与膜层要求开展工艺适配与验证。
华封科技
本次展会上，华封科技重磅发布TGV-AOI新一代量检测装备。这款新品面向玻璃基板TGV的来料、诱导、通孔、填铜、RDL重布线等不同工艺制程，实现TGV全工艺一体化量检测场景，搭载多模态光学成像系统与自研 AI 缺陷识别算法，可同步完成 TGV ，玻璃夹层、玻璃表面、玻璃通孔、RDL 线路层、等多类型缺陷高精度检测与关键尺寸量测。
设备兼顾检测精度与量产节拍，适配大尺寸玻璃基板量产产线在线检测需求，解决传统设备只能单一项目检测、多机台拆分验证带来的效率损失与数据孤岛问题，帮助客户大幅提升玻璃基板封装良率、缩短工艺验证周期、降低量产成本。该设备可与公司现有的混合键合、面板级贴装设备深度联动，实现先进封装产线工艺与检测的数据互通、闭环优化，无论是传统晶圆级封装产线升级，还是全新玻璃基板产线搭建，都可以提供协同配套的设备选择。
AOI产品总监刘书畅在新品发布现场表示：本次发布TGV-AOI产品，是落实V2.0整线战略的关键布局。依托华封成熟的制程设备基石，TGV-AOI实现TGV全工艺流程一体化量检测，打通产线工艺与质控数据闭环，助力客户高效推进玻璃基板封装项目落地。
华封科技还提到，公司本次推出TGV-AOI，延伸能力边界，打通工艺与检测的数据链路。这套一体化方案可以灵活适配两类客户需求：一类是现有传统先进封装产线的提质升级，另一类是布局玻璃基板TGV新赛道的产线建设，助力封测企业平滑拓展下一代封装技术，降低新工艺导入门槛，加速玻璃基板技术从研发验证走向规模化量产。
电科装备
展会上，电科装备发布了新品——Venus 6先进封装量检测设备，为国内首台可同时对半导体先进封装工艺——大尺寸玻璃基板TGV（玻璃通孔）和RDL（再分布层）进行多流程同步量检测的设备。
Venus 6系列最大可支持G4.5代（730mm×920mm）大尺寸玻璃基板检测，搭载自研多模态同步检测体系，可灵活选配3D AOI、微凸点检测等核心功能模块，精准满足TGV通孔、精细RDL线路等前沿先进封装工艺的高精度检测需求，覆盖高端封装核心工艺场景。
晶州装备
展会上晶洲装备携国内首个TGV中试开放平台重磅亮相，全面展示从TGV制孔、金属化、图形化到全系列湿法工艺验证及设备定制的端到端能力，标志着晶洲在玻璃基板级先进封装赛道迈出关键一步。
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TGV中试开放平台：从装备到工艺全链条
面对AI算力驱动下的产业新浪潮，晶洲装备积极布局玻璃基板级先进封装赛道，致力于突破TGV核心技术瓶颈。通过建立国内首个TGV中试开放平台（TGV Pilot Plant），晶洲成功打通了从装备到工艺再到应用的全链条自主体系，为上下游客户提供了从工艺开发、小批量试制到量产导入的一站式验证服务。
本次展会，晶洲装备重点展示了TGV中试平台在玻璃基板微孔制备及金属化领域的核心成果：
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高端消费电子玻璃刻蚀设备
面向折叠屏、柔性显示等高端消费电子市场，晶洲装备推出高端玻璃刻蚀设备，涵盖玻璃边缘刻蚀（Edge Etching）、整面减薄刻蚀（Bulk Etching）等应用场景，对超薄玻璃进行精密化学刻蚀加工。
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玻璃边缘圆弧化——消除应力集中，提升产品可靠性
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整面减薄刻蚀——满足超薄化趋势的工艺需求
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TGV玻璃微通孔刻蚀——打通先进封装关键制程
苏科斯
苏科斯团队带来了已完成落地验证的大板级 TGV 电镀设备。其TGV 系列产品：SCS‑TGV510 大板级玻璃基板电镀填孔、RDL 重布线，国内主要实现大板量产机型。
▪️针对 4.5 代大板玻璃基板（510×515mm）做整机适配，不是拿小机台简单放大；
▪️重点攻克填孔空洞问题，量产状态空洞率可控低至 0.5%；
▪️板面全域厚度均匀性做持续优化，减少大板边缘与中间的镀层偏差；
▪️流体场 + 动态电极协同控制，专门应对高深宽比微孔填铜；
▪️设备不是实验室样机，已有多台完成客户现场交付，跑过实际产线工况。
本次，鑫巨半导体携自研的SPP-ECD量产级电镀设备、VCL 刻蚀平台等亮相展会。
鑫巨半导体作为一家自有知识产权与国产化的湿制程设备商，自研的SPP-ECD量产级电镀设备技术已达到国际领先水平，设备可全面支持TGV、PILLAR、RDL 多种高端电镀工艺，能够稳定实现2微米线宽/线距超高密度载板批量制造，电镀一致性精度控制在5%以内；可完成 AR 20:1高深宽比的 TGV 玻璃过孔填充，实现无气泡、无凹陷的优异制程效果。设备搭载磁悬浮输送、DynamicStream™/ReverseStream™电镀、主动振动消除等多项自研核心技术，支持玻璃基板、有机基板等多种基材加工，兼容各类尺寸与异形工件，广泛适配 FC-BGA 载板、2.5D/3D 封装、Chiplet 等前沿先进封装应用场景。同期展出的 VCL 刻蚀平台，具备5微米图形分辨率，单小时过板产能可达180片，能够高效满足 FC-BGA 载板、RDL 重布线线路、中介层等产品的精密刻蚀需求，为先进封装产线提供稳定、高效、高良率的整套湿制程加工能力。
曼恩斯特
曼恩斯特携玻璃基板关键薄膜工艺解决方案及核心装备亮相展会，重点展示磁控溅射设备（PVD）、原子层沉积设备（ALD）及精密狭缝涂布设备（Slot-die Coater）在玻璃基板先进封装领域的应用能力。
玻璃基板先进封装的产业化面临高深宽比TGV通孔金属化、膜层沉积均匀性与连续性控制，以及大面积RDL介电层的制备等核心工艺挑战。曼恩斯特以PVD、ALD、狭缝涂布三大技术平台，覆盖通孔金属化均匀沉积与RDL介电层制备等关键工艺，为玻璃基板先进封装提供核心装备支持。
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连续磁控溅射（PVD） 高效沉积金属附着层与种子层
设备搭载HiPIMS高功率脉冲磁控溅射技术，通过优化等离子体特性，提升金属薄膜致密度与界面附着力。针对玻璃基板的热负荷敏感特性，采用低温沉积与低损伤工艺设计，有效抑制超薄玻璃基板翘曲，确保镀层均匀致密。设备面向深宽比 ≤ 12:1 的通孔金属化需求，适配玻璃、陶瓷及硅基等多种基板。
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ALD原子层沉积 高深宽比结构的薄膜沉积
ALD设备基于自限制性表面反应，实现原子级膜厚控制，兼具优异的薄膜均匀性与工艺重复性，彻底消除结构遮蔽效应。适用高深宽比通孔内阻挡层、界面层及导电成核层等功能薄膜的精细制备。
设备支持深宽比15:1~150:1、孔径20μm以下的高深宽比通孔应用，在适宜工艺条件下台阶覆盖率近100%，为复杂三维结构的功能薄膜制备提供技术支撑。
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RDL介电层 狭缝涂布提升大面积成膜均匀性
曼恩斯特平板狭缝涂布设备，采用线性涂布方式，无旋转机械应力，支持单面、双面工艺切换，为大面积光敏PI/PBO介电材料及光刻胶涂布提供高均匀、低损耗的涂布技术支撑。
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高精度成膜，保障介电层均匀性
设备搭载自研高精度涂布模头与闭环供液系统，实现有效涂布区域膜厚均匀性≤3%，材料利用率＞95%，为精细线路所需的介电层均匀制备提供关键工艺基础。
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稳定供液与洁净控制，降低涂层缺陷风险
高精度注液泵流量分辨率达0.01μL/s，配合模头预挤出、自动清洗及整机FFU洁净系统，有效提升涂布过程的供液稳定性与洁净控制水平，降低残液及颗粒污染造成的涂层缺陷风险。
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多材料适配，支撑规模化制造
设备兼容多种规格硼硅玻璃基板与半导体介电材料，支持小批量研发至面板级量产机型选型，为L/S 2～5μm级RDL精细布线提供介电层制备工艺支持。
谷微半导体
本次展会，谷微半导体聚焦湿法工艺、先进封装赛道，携自研TGV 玻璃通孔电镀设备精彩亮相，集中展示公司在玻璃基板 TGV 工艺开发、装备国产化领域的创新成果。
谷微深耕半导体湿法设备领域多年，围绕基板双面抛光清洗、微孔残渣去除、铜电镀填孔、金属线路成型等工艺方向持续攻关，在基板表面管控、精密清洗、电镀互联等环节积累成熟技术方案，为国内 TGV 产业化提供可靠的国产装备方案。
芯睿科技
板级键合及激光解键合设备是芯睿科技的主推亮点，主打面向面板级封装、玻璃基板、大尺寸光学器件的一体化键合解键合工艺链路，可满足大基板批量生产需求。目前公司已完成客户310mm*310mm 板级样品键合、解键合测试；规划于今年年底完成 510mm*515mm 板级样品测试，并计划于明年Q1向国内客户交付第一套 310mm*310mm 板级键合及解键合设备，同时将持续精进更多种板级键合技术，夯实大尺寸板级工艺国产化能力。
