7月21日，德州天衢新区举行重点项目签约仪式。齐鲁工业大学材料科学与工程学部总投资3亿元的年产3万片氮化铝单晶衬底材料项目签约落地。
氮化铝单晶，是第四代超宽禁带半导体的核心衬底材料，深紫外光源、高压功率器件、6G射频、新能源汽车电控系统都离不开它，长期面临量产难题。齐鲁工业大学材料科学与工程学部拥有完整科研团队和中试平台，长期扎在宽禁带半导体晶体生长、薄膜制备等方向上。签约后，将与当地共建联合研发实验室，聚焦大尺寸晶体生长、衬底良率提升和低成本量产工艺，推动氮化铝相关成果快速中试落地。
来源：德州天衢新区
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