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智慧科技 拥抱未来 核心技术外溢 产业化再突破
Corporate News 企业喜讯 2026年上半年,山东力冠磷化铟长晶设备订单突破千台量级,实现大批量订单持续落地、稳步交付,是公司核心炉管技术跨赛道赋能的标志性成果。
01 企业核心根基 深耕半导体高端装备领域十四载,山东力冠微电子装备有限公司始终以高端薄膜沉积、热处理炉管装备为核心主业,长期攻坚半导体集成电路核心装备自主化,重点推进12英寸高端炉管设备国产化替代,是公司技术迭代、产品升级与产业战略布局的核心根基。
历经十四年高端炉管装备研发、结构设计与大批量量产工艺沉淀,公司自主掌握高精度闭环控温、超高真空调控、微量气氛精准配比三大底层核心技术。这套经过长期上机验证、稳定性极强的精密控制系统,不仅支撑高端硅基集成电路制程,更是第二代化合物半导体单晶生长装备的同源技术底座,为公司跨赛道技术赋能、产业化延伸奠定了坚实基础。
02 产业化突破逻辑 伴随人工智能大模型、超算算力网络、AI数据中心集群高速扩张,全球算力基础设施迎来爆发式迭代。800G、1.6T乃至未来3.2T超高速光模块全面普及,磷化铟作为第二代化合物半导体核心基材,已然成为AI算力时代不可替代的战略性底层材料。 不同于硅基材料无法高效光电转换的物理局限,磷化铟具备超高电子迁移率、近100%光电转换效率,是高端光模块激光器、探测器、高速光互联芯片的唯一量产衬底材料,支撑AI算力中心海量数据的超低延迟、超高速传输,是当前算力产业链最核心、最紧缺的上游刚需资源,也是国内AI算力基础设施自主可控的关键突破口。
而磷化铟单晶生长对设备温场均匀性、真空度稳定性、气流精准控制的严苛工艺要求,与山东力冠深耕多年的高端炉管精密控制体系高度同源、完美契合。
依托同源核心技术的深度赋能,公司在化合物半导体高端装备赛道实现跨越式产业化突破:2026年度,公司磷化铟长晶设备订单已突破千台量级,大批量订单持续落地、规模化交付稳步推进。专注服务于AI算力光模块配套光芯片制造领域,目前已成长为国内磷化铟衬底生长设备领域核心供应商。
凭借成熟的炉管精密控制技术体系,我司磷化铟长晶设备温场一致性高、真空系统稳定性强、晶体生长良品表现优异,量产稳定性高,完全适配AI高速光通信产业链的大规模工业化量产需求。
03 企业差异化竞争力 区别于行业单一设备制造厂商,山东力冠具备高端集成电路装备自研 + 化合物半导体工艺协同验证双重核心能力。公司长期与下游光电、算力企业深度绑定,结合AI光电器件量产工况持续迭代设备结构与智能控制算法,经过数万小时上机实测,设备工艺成熟、性能可靠,获得行业客户批量采购与高度认可。
04 全谱系产业布局 本次千台级磷化铟长晶设备订单落地,是公司高端炉管核心技术跨领域外溢、跨赛道突破的标志性成果,充分验证了公司温控、真空、气氛三大底层技术的通用性、先进性与行业壁垒优势。 立足扎实的主业技术底盘,公司已完成二代、三代、四代化合物半导体装备全梯队战略布局: 二代半导体:磷化铟、砷化镓长晶装备,已实现千台级规模化商用落地,深度配套AI高速光通信产业 三代半导体:碳化硅大尺寸长晶装备、氮化镓HVPE外延装备持续迭代,稳步推进新能源、射频、功率半导体商业化 四代半导体:氧化镓长晶及成套外延装备取得关键技术突破,提前布局下一代超宽禁带半导体赛道 公司现已形成主业筑牢基本盘、新赛道多点突破的高质量产业发展格局。
05 未来发展规划 未来,山东力冠将持续坚守高端半导体装备核心主业,持续攻坚12英寸高端炉管、薄膜沉积装备国产化,补齐国内集成电路核心装备短板,抢抓国产替代黄金机遇。 同时依托通用型底层核心技术,持续深化与AI光通信、算力网络、高端光电领域客户的战略合作,持续迭代磷化铟第二代半导体装备性能,加速推进三代、四代化合物装备市场化落地。
实现硅基集成电路主业 + 化合物光电算力装备双轮驱动,持续赋能国内半导体、高端光电、AI算力全产业链自主可控,为中国高端半导体装备国产化、算力基础设施底层建设持续输出硬核力量。
主要产品 立式 氧化/扩散/退火/LPCVD/ALD设备 卧式 氧化/扩散/退火/LPCVD设备



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