华日超快激光，全链路赋能 AI 芯片与先进封装制造

晶圆制造是 AI 芯片的起点，前道、中道、后道三大制程的每一步，都对加工精度、良率、效率提出了近乎苛刻的要求。华日超快激光器以其极短脉宽、极小热影响、超高精度，在以下关键工艺中实现突破性应用。

>> 晶圆边缘激光修整

晶圆边缘的崩边、缺口、毛刺、应力层直接影响后续工艺良率。华日激光采用355nm PINE3紫外皮秒/纳秒激光器，对硅片、SiC、蓝宝石、玻璃晶圆边缘进行非接触式去除，实现倒角、圆弧修边、边缘减薄。

 

◉ 边缘崩边控制<3μm，无微裂纹产生，远超机械加工精度；

◉ 50-100μm超薄晶圆良率提升+10%，显著降低破片风险；

◉ 加工效率提升+50%，同时支持45°斜角、圆弧R角整形、边缘环向减薄等复杂轮廓；

◉ 适配通用量产：355nm紫外皮秒激光器，功率稳定性优于2%，24/7连续运行。

>> 激光退火

晶圆退火需在纳秒级时间内将表面升温至1000℃以上并快速骤冷，以激活掺杂离子、修复晶格损伤。华日激光LumNano系列激光器（527nm绿光/351nm紫外），凭借独特波长优势，实现高效、精准的浅结退火。

 

◉ 527nm波长：硅吸收效率高，穿透深度仅100-200nm，能量集中在表面，兼顾效率与良率；

◉ 工艺窗口宽：相比355nm与1064nm，对工艺波动容忍度更高，适合0-0.5μm浅结退火。

◉ 平均功率≥50W，频率1-10KHz可调，满足不同掺杂工艺的热预算需求。

>> 晶圆激光标记

在晶圆正反面或划片槽内制作微米级永久标识（ID、二维码、批号），是晶圆级追溯、防混料、良率分析的基础。华日激光 355/532nm纳秒及皮秒激光器，实现清晰、无损、高对比度标记。

 

◉ 多波长可选：紫外（355nm）适合低热影响标记，绿光（532nm）兼顾硅吸收与速度，红外（1064nm）用于背面深标。

◉ 皮秒级冷加工：热影响区极小，无熔融飞溅，标记边缘锐利，不影响邻近芯片性能。

◉ 高速度、高可靠性：支持12英寸晶圆全自动打标，满足量产线需求。

先进封装是提升AI芯片性能的关键。华日超快激光器为高端IC载板微孔加工、玻璃基板TGV、基板划片/开槽等领域提供冷加工解决方案。

>> 高端IC载板微孔加工

AI算力载板、射频/功率器件对微孔（5-50μm盲孔/通孔）提出极高要求：无热损伤、无崩边、孔壁光滑。传统钻孔及纳秒激光已无法满足。华日激光PINE3高功率皮秒激光器，完美解决痛点。

 

◉ 冷加工，零热损伤：皮秒级脉宽，孔壁无碳化、无重铸层，直接金属化无需后处理；

◉ 微米级精度：孔壁无热损伤、无毛刺、无堵孔，孔径精度 ±1μm，保障导通性能稳定；

◉ 高效量产方案：PINE3 100W 高功率绿光皮秒激光器，兼顾效率与稳定性，适配规模化生产。

>> 玻璃基板TGV

玻璃基板凭借低介电常数、高绝缘性、热膨胀系数与硅匹配的优势，成为 AI 芯片 3D 封装的理想基材，而 TGV 通孔是实现层间垂直电连接的关键。激光诱导蚀刻是目前最主流的 TGV 制备方法，华日超快激光为其提供高性能光源支撑。

 

◉ 高深宽比加工：Revo 飞秒激光器可达150:1，最小孔径3μm，适配50μm-1mm玻璃基板。

◉ 高效率钻孔：加工效率达 5000-10000 孔 / 秒，支持大面积玻璃基板批量加工；

◉ 无损伤工艺：冷加工机制，通孔内壁无微裂纹、无毛边，无需后续研磨，良率 > 99%。

下一代 AI 芯片数据传输速率攀升至 224Gbps，40 层及以上高端 AI 服务器 PCB 普及，传统板材与加工工艺已难以适配高频高速需求。具备低介电、低损耗、高高频稳定性的 M9/M7 高速覆铜板成为算力硬件首选，而华日皮秒 / 飞秒超快激光依托纯冷加工、微米级高精度、无接触、高兼容优势，全面覆盖高速 PCB、IC 载板、FPC 的钻孔、切割、开窗、线路阻焊修整等全工序，是支撑 800G/1.6T 高速光互联与高端 AI 算力基板规模化量产的核心刚需工艺。

 

◉ 微孔钻孔：在M9/M7级高速板、IC载板上加工50μm以下盲孔/通孔，孔壁光滑无碳化，信号完整性优异；

◉ 精密切割与开窗：对多层PCB进行异形切割、开窗，边缘无毛刺、无分层，良率提升至99%以上。

AI算力的竞争，本质是微纳制造能力的竞争。华日激光以国产超快光源为核心，以极致精度、高效量产、自主可控为优势，深度赋能晶圆制造→封装基板→PCB基板全链条，为中国AI算力硬件制造提供坚实的底层支撑。

来源：华日激光

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