



自主研发,创新不止!
科友半导体再传捷报
10月中旬,科友半导体在第三代半导体材料领域取得重大突破,成功制备12英寸半绝缘碳化硅单晶。这是继公司突破12英寸导电型碳化硅单晶制备技术后,在大尺寸碳化硅材料领域的又一重要里程碑,标志着科友在12英寸碳化硅装备与材料技术方面实现了新的跨越。

碳化硅作为第三代半导体材料的核心,凭借其耐高温、高击穿场强、低损耗等优异特性,已成为新能源汽车、5G基站、储能系统等高端装备的关键材料。
特别是半绝缘型碳化硅单晶,更是高端射频器件、AR眼镜、AI芯片散热模块等前沿领域的“刚需材料”。从8英寸向12英寸的技术升级,不仅能使单片芯片产出量提升2.5倍,还可实现单位成本降低40% 的显著效益。


科友半导体此次技术突破并非偶然,而是基于成熟的8英寸技术体系,通过四大核心技术创新实现的“厚积薄发”: 柔性化长晶设备 科友自主研发的长晶炉打破了传统设备“一尺寸一机型”的局限,实现了12英寸、8英寸等多种尺寸的兼容生产,并能够灵活切换导电型与半绝缘型两种晶体生产模式。有利于材料企业根据市场需求快速调整产品结构,大幅降低设备投入和运营成本。 热场协同技术 通过高精度机械腔体设计和多温区热场设计,提高设备密封性的同时,有效控制晶体生长过程中的温度梯度,配合科友半导体传热传质协同作用的坩埚结构设计,解决了大尺寸晶体易出现的翘曲、生长速率慢、应力集中等难题。 全流程自动化 将8英寸量产验证的自动化技术升级应用,集成了先进的算法和智能控制系统,实现关键参数的精准控制和“一键启动”式操作,大幅提升生产效率和产品一致性,为12 英寸单晶的稳定生产和后续质量提升奠定了坚实基础。 高效技术迭代 基于8英寸装备及衬底的全链条产业化经验,通过技术迁移与工艺升级,包括应用碳化钽涂层、新型籽晶固定方法、粉料预处理等关键技术,快速攻克了12英寸制备的核心技术难题,包括单晶易开裂、边缘多晶等,展现了清晰的技术发展路径和巨大的技术潜力。


科友半导体此次突破正值产业发展的关键节点。随着台积电、英飞凌等国际巨头加速布局12英寸碳化硅产线,全球对大尺寸半绝缘碳化硅材料的需求持续攀升。
创新引领未来,科友半导体将继续深耕第三代半导体材料技术,为中国的半导体产业发展贡献更多“科友力量”!


