自主研发,创新不止!

科友半导体再传捷报

10月中旬,科友半导体在第三代半导体材料领域取得重大突破,成功制备12英寸半绝缘碳化硅单晶。这是继公司突破12英寸导电型碳化硅单晶制备技术后,在大尺寸碳化硅材料领域的又一重要里程碑,标志着科友在12英寸碳化硅装备与材料技术方面实现了新的跨越。

大尺寸碳化硅:新一代半导体的“基石”

碳化硅作为第三代半导体材料的核心,凭借其耐高温、高击穿场强、低损耗等优异特性,已成为新能源汽车、5G基站、储能系统等高端装备的关键材料。

特别是半绝缘型碳化硅单晶,更是高端射频器件、AR眼镜、AI芯片散热模块等前沿领域的“刚需材料”。从8英寸向12英寸的技术升级,不仅能使单片芯片产出量提升2.5倍,还可实现单位成本降低40% 的显著效益。

四大创新技术,攻克12英寸制备难题

科友半导体此次技术突破并非偶然,而是基于成熟的8英寸技术体系,通过四大核心技术创新实现的“厚积薄发”:

创新一

柔性化长晶设备

科友自主研发的长晶炉打破了传统设备“一尺寸一机型”的局限,实现了12英寸、8英寸等多种尺寸的兼容生产,并能够灵活切换导电型与半绝缘型两种晶体生产模式。有利于材料企业根据市场需求快速调整产品结构,大幅降低设备投入和运营成本。

创新二

热场协同技术

通过高精度机械腔体设计和多温区热场设计,提高设备密封性的同时,有效控制晶体生长过程中的温度梯度,配合科友半导体传热传质协同作用的坩埚结构设计,解决了大尺寸晶体易出现的翘曲、生长速率慢、应力集中等难题

创新三

全流程自动化

将8英寸量产验证的自动化技术升级应用,集成了先进的算法和智能控制系统,实现关键参数的精准控制和“一键启动”式操作,大幅提升生产效率和产品一致性,为12 英寸单晶的稳定生产和后续质量提升奠定了坚实基础。

创新四

高效技术迭代

基于8英寸装备及衬底的全链条产业化经验,通过技术迁移与工艺升级,包括应用碳化钽涂层、新型籽晶固定方法、粉料预处理等关键技术,快速攻克了12英寸制备的核心技术难题,包括单晶易开裂、边缘多晶等,展现了清晰的技术发展路径和巨大的技术潜力。

产业意义深远,助力自主可控

科友半导体此次突破正值产业发展的关键节点。随着台积电、英飞凌等国际巨头加速布局12英寸碳化硅产线,全球对大尺寸半绝缘碳化硅材料的需求持续攀升。

科友此次技术突破,为我国新能源、AI等战略性新兴产业提供了自主可控的材料选择,有效降低产业链“卡脖子”风险,为下游企业降本增效提供有力支撑。

从8英寸中试线贯通,到导电型12英寸单晶突破,再到此次半绝缘型12英寸单晶的成功制备,这一系列突破不仅显著提升了科友在全球碳化硅产业中的话语权,更为国内高端半导体材料产业的发展注入新动能。

创新引领未来,科友半导体将继续深耕第三代半导体材料技术,为中国的半导体产业发展贡献更多“科友力量”!

作者 808, ab