文 | 张冰冰
编辑 | 阿至
封面图来源 | AI生成
36氪获悉，珠海镓未来科技有限公司（以下简称「镓未来」）完成亿元级B++轮融资，由北海山旁边独家投资，资金将主要用于高压/大功率产品研发、供应链建设、业务拓展等方面。
「镓未来」成立于2020年10月，专注于氮化镓功率器件的研发及应用，已量产40余个产品型号，覆盖650V、900V电压下30W-10kW应用场景。今年上半年，「镓未来」第一款基于第三代芯片设计平台的产品完成了可靠性验证，已量产导入并开始出货，下半年还将有多个型号产品释放。
目前，「镓未来」客户已覆盖手机、笔电、光伏微逆、户外储能、算力电源、AI超算、新能源等领域，包括联想、小米、昱能等头部客户，陆续实现量产导入，预计今年芯片销售收入将超过1亿元。
第三代设计平台产品
品质因数提升40%，成本下降50%
氮化镓功率器件是指基于氮化镓（GaN）半导体材料制造的功率电子器件，属于第三代宽禁带半导体技术，广泛应用于高频、高功率、高效率的电能转换场景。凭借高电子迁移率、低导通电阻及硅基工艺兼容性，氮化镓在650V以下高频、中小功率场景实现效率突破，并加速向消费电子、数据中心电源、车载低压系统及特定工业场景渗透。
针对这一趋势，「镓未来」近年来着力于加速芯片设计、生产工艺优化及产品研发进度。
芯片设计方面，今年上半年，「镓未来」第一款基于第三代设计平台的产品完成了可靠性验证，已量产并开始出货。
“我们第三代产品品质因数相较于第一代提升了超过40%。”「镓未来」轮值CEO张文理介绍，从器件迭代角度看，有一个衡量指标是figure of merit（品质因数），涵盖很多器件维度的衡量标准，比如导通电阻乘以结电容。「镓未来」第三代设计平台产品的品质因数较第一代设计平台产品，保守估计提升了40%以上。
生产工艺优化方面，「镓未来」此前主要采用Fab-lite轻IDM模式，投资海外晶圆代工厂，迭代核心工艺，在封装、测试等环节采取与国内厂家合作方式。2023年开始，「镓未来」组建工艺团队，在晶圆厂进行工艺迭代，保障晶圆生产良率，同时提高生产效率、降低流片周期。2024年以来，进一步加速构建全球化供应链体系，实现国内、国外“两条腿”走路。
产品研发方面，「镓未来」的核心产品系列是耐压650V-900V的分立式功率氮化镓器件，近年来持续根据客户需求进一步拓展封装外形选择，实现了可调速的功能。基于自身技术优势，「镓未来」还独立研发了目前功率氮化镓领域的热门产品——双向器件，目前已处于量产阶段。此外，「镓未来」第一款氮化镓与驱动器合封的器件产品，去年完成验证，今年已在重要手机客户端实现大批量出货。
最新双向器件
成本曾经是制约氮化镓应用推广的重要因素，降本增效也是氮化镓器件制造商绕不开的命题。“我们每年都有年度的降本目标和计划。”张文理介绍，「镓未来」根据未来产品发展规划，制定了未来五年的中长期降本路线。
具体来说，在芯片设计端不断迭代，提升晶圆的DPW，在保证性能和可靠性的前提下，缩小单个芯片的面积，在同一片晶圆上切割出更多芯片，从而降低单个芯片的制造成本。与创业初期相比，「镓未来」实现了单晶圆颗粒数提升40%，并有计划从6英寸技术向8英寸过渡。
结合生产制造和供应链措施，「镓未来」产品成本较三年前下降50%。张文理对此总结道：“不仅仅是实现了这个目标，我们氮化镓器件的生产制造成本已经低于了同规格的硅基器件的成本。”
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