晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后,公司持续投入并不断加大研发力度,并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺,在721日研制出高品质12英寸SiC晶锭,标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。

在未来,晶越将持续投入研发、专注于打磨产品、提高良率和参数优化,努力打造国内领先碳化硅材料提供商。

作者 808, ab