4月28日,据“济南市槐荫区人民政府”官网消息,天岳先进的“年产500吨碳化硅单晶基地”扩产能项目,可一次性解决5000台生长炉的扩产能需求,计划2025年5月进行生产设备安装调试、6月实现首批生产设备投产试运营。
另外在4月21日,“环境影响评价信息公示平台”也发布了“碳化硅材料产业化项目(一期)环境影响评价公参公示”

项目概要

1、项目名称:碳化硅材料产业化项目(一期)

2、建设单位:山东天岳先进科技股份有限公司

3、建设性质:新建

4、建设地点:济南槐荫经济开发区区块一范围内,厂区位于齐鲁大道以东、济广高速以北,美里北路以南。

5、建设规模:本项目计划投资10亿元,建设碳化硅材料产业化项目(一期),项目占地面积约153亩,购置碳化硅晶体生长炉、切割机、研磨机等设备,开展8英寸碳化硅材料关键技术研发,建成8英寸碳化硅材料制备生产线(一期)并投产。

近日,天岳先进也发布了2024年年度报告。年报显示,公司产能利用率逐步提升,产品产销量持续增长,规模效应逐步显现,成本逐步优化,高品质导电型碳化硅衬底产品加速出海,带动营业收入持续增长。
天岳先进2024年年报
2024 年,公司总资产73.57亿元,较上年同期增加6.44%;实现营业总收入17.68亿元,较上年同期增加41.37%;归母净利润1.79亿元,扣除非经常性损益的净利润1.56亿元,实现扭亏为盈,2024年季度利润也全面转正。
报告期内,碳化硅半导体材料实现收入14.74亿元,较上年同期增加35.72%。
  • SiC产能情况
2024年,天岳先进碳化硅衬底产量41.02万片,较2023年增长56.56%,产量持续增长,屡创历史新高。其中上海工厂已达到年产30万片导电型衬底的产能规划,持续提升二阶段产能。
  • SiC研发情况
2024 年公司研发费用1.42亿元,较2023年增长3.38%。
天岳先进业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底,突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。
2024 年11月,公司推出业内首款12英寸碳化硅衬底。
  • SiC生产核心技术
天岳先进已掌握碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术,包括:
1)碳化硅晶体生长过程中的缺陷控制技术
2)碳化硅晶体生长设备及热场设计制造技术
3)高纯碳化硅粉料制备技术
4)精准杂质控制技术及电学性能控制技术
5)碳化硅衬底超精密加工技术
6)液相法
该方法涉及从熔融硅碳溶液中生长碳化硅晶体,生产无宏观缺陷的 8 英寸碳化硅衬底。
来源:环境影响评价信息公示平台、济南市槐荫区人民政府官网、天岳先进年报
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作者 808, ab