4月13日,第十七届中国高校电力电子与电力传动学术年会(SPEED 2024)在安徽宣城举办。SPEED 2024由合肥工业大学电气与自动化工程学院承办,作为国内高等院校电力电子与电力传动学科最重要的学术论坛之一,吸引了近千名业界著名专家学者、高校师生,以及业内知名企业的积极参与。作为新能源产业链核心器件和创新技术型企业,赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司(以下简称:赛晶半导体)受邀参会。

赛晶携自主研发IGBT、SiC芯片及模块 亮相SPEED 2024

赛晶携自主研发IGBT、SiC芯片及模块 亮相SPEED 2024

展览中,赛晶半导体自主研发IGBT、SiC芯片及模块引发众多专家学者、高校师生热烈关注和深入交流,并受到了与会技术专家和客户的高度关注和热烈反响

 

赛晶携自主研发IGBT、SiC芯片及模块 亮相SPEED 2024

 

赛晶i20系列IGBT芯片组(1200V、1700V)
1700V是IGBT的主流电压等级之一,广泛应用于风力发电、无功补偿(SVG)、智能电网,以及中高压变频器等领域。赛晶i20系列1700V IGBT芯片组,基于经典的沟槽栅及场截止芯片结构,并采用了窄台面、优化N-型增强层、短沟道、3D结构、优化P+层等多项行业前沿理念的优化设计,具有大功率、低损耗、高可靠性等卓越的芯片性能,代表了国内同类芯片技术的最高水平。

 

赛晶携自主研发IGBT、SiC芯片及模块 亮相SPEED 2024

 赛晶ST封装IGBT模块(1200V、1700V)
ST封装IGBT模块采用行业标准外形设计(62mm),具有极佳的通用性,是工业级IGBT模块中的主流型号之一。特别是在光伏发电、低压变频器、UPS电源、电机驱动、数控机床等领域,ST封装IGBT模块具有广泛的市场需求。
作为赛晶打造精品国产IGBT模块战略的最新成果。ST封装IGBT模块采用优化布局、三维信号传输等创新设计(已申请专利)实现了出色的模块性能:同类产品中最低的内部热阻、连接阻抗、内部杂散电感等。
 
赛晶携自主研发IGBT、SiC芯片及模块 亮相SPEED 2024

赛晶HEEV封装SiC模块(1200V)

HEEV封装SiC模块为电动汽车应用量身定做,导通阻抗低至2.0mΩ(@25℃),可用于高达250kW电驱系统,并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

 

赛晶携自主研发IGBT、SiC芯片及模块 亮相SPEED 2024

赛晶EVD封装SiC模块(1200V)

EVD封装SiC模块采用乘用车领域普遍采用的全桥封装。通过内部优化设计,具有出色的性能表现。与业界头部企业相同规格封装模块对比,赛晶EVD封装SiC模块的导通电阻低10%至30%,连接阻抗低33%,开关损耗相近或者更低(相同开关速度)。

不仅如此,赛晶半导体首款引以为傲IGBT产品-ED封装IGBT模块,以及EV封装IGBT模块,同样引发了广泛关注。充分体现了赛晶在电驱动领域的强大技术实力。作为新能源产业链核心器件和创新技术型企业,赛晶始终坚持“以科技创新,推动绿色能源发展”为使命,站在行业的前沿不断探索、创新。凭借多年出色的实用业绩和领先的市场地位,赢得了中国电力电子技术创新研发和国产化先锋的赞誉。

赛晶携自主研发IGBT、SiC芯片及模块 亮相SPEED 2024

原文始发于微信公众号(赛晶科技0580HK):赛晶携自主研发IGBT、SiC芯片及模块 亮相SPEED 2024

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作者 liu, siyang