“我国拥有第三代化合物半导体的最大应用市场，发展第三代化合物半导体对于提升国际竞争力意义重大。”现场，在接受媒体采访时庄丹表示，长飞先进以“打破国际垄断，填补国内空白”为己任，始终聚焦于碳化硅功率半导体产品研发及制造，目前已打造完整的650v-3300VSiC产品矩阵，实现了从光伏、储能、充电桩到新能源汽车等应用领域的全覆盖。
他还表示，在现有年产6万片碳化硅晶圆产能基础上，长飞先进正稳步推进年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地项目建设。该项目总投资达到200亿元，预期今年6月封顶，明年上半年形成产能。项目建成后将位居国内碳化硅产能前列，成为全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂，推动国内碳化硅产业快速发展。
原文始发于微信公众号（长飞先进）：长飞先进董事长庄丹：积极优化布局 推动国内碳化硅产业快速发展
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