■ Hitachi Energy 

创新技术突破将提高芯片生产能力,并提供结构更为复杂的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

日前,日立能源成功推出300毫米(mm)晶圆,在功率半导体领域实现了重要的技术突破。这一创新成果提升了芯片的生产能力,并实现结构更加复杂的1200V IGBT,该半导体器件能够帮助大功率应用快速切换电源。IGBT的应用包括变频器(VFD)、不间断供电(UPS)系统、电动汽车、火车和空调等多个领域。

日立能源推出应用于IGBT的300毫米晶圆,加速半导体技术发展

 ▲ 日立能源应用于IGBT功率半导体器件的300毫米晶圆 

与现有的200mm晶圆相比,更大的晶圆具备显著的优势,例如每块300mm晶圆的集成电路数量可增加一倍以上(2.4倍),从而大幅降低成本。该产品还采用了最新一代的精密沟槽型IGBT设计,实现了高效的功率转换和控制,同时更大限度地减少操作过程中的功率损耗。

开发300mm晶圆对于加速能源转型至关重要,能够有效促进可再生能源和工业领域对资源的高效利用。

300mm晶圆的顺利和快速推出不仅加速了日立能源半导体技术的进步,更有助于提升客户的竞争力和业务能力。未来,我们计划进一步扩展300mm晶圆平台,为更高电压等级的IGBT器件提供有力支持。

Rainer Kaesmaier 博士

日立能源半导体业务负责人

在日立能源,半导体专家们与跨职能团队紧密合作,涵盖产品管理、业务开发、研发和芯片代工合作伙伴等多个领域,共同实现了这一具有里程碑意义的技术突破。

日立能源致力于突破技术界限,探索全新解决方案,以加速迈向更高效和更可持续的未来。全新300mm IGBT产品彰显了公司在不断变革的能源领域引领社会创新的承诺。

原文始发于微信公众号(日立能源):日立能源推出应用于IGBT的300毫米晶圆,加速半导体技术发展

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作者 808, ab